[发明专利]薄膜太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种薄膜太阳能电池的制备方法，包含下列步骤：

形成一阳极层于一基板上；

形成一铜层于该阳极层上；以及

共沉积铜、铟、镓和硒于该铜层上，以形成一铜铟镓硒光吸收层。

2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，该铜层的铜量为在共沉积铜、铟、镓和硒的步骤中的铜量的一半以下。

3.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，该铜层的厚度介于1000埃至2500埃。

4.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，该铜铟镓硒光吸收层的厚度介于1至2.5微米。

5.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，形成一铜层于该阳极层上的步骤包含蒸镀或溅镀该铜层于该阳极层上。

6.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，该阳极层包含钼。

7.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，还包含下列步骤：

沉积一缓冲层于该铜铟镓硒光吸收层上；

形成一绝缘层于该缓冲层上；以及

形成一导电层于该绝缘层。

8.根据权利要求7所述的薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，该缓冲层包含硫化镉、硫化锌或硫化铟。

9.根据权利要求7所述的薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，该绝缘层包含氧化锌。