[发明专利]金属硅化物的制备方法无效
| 申请号： | 201110061795.3 | 申请日： | 2011-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102176414A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 顾学强;肖慧敏;陈力山 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属硅化物的制备方法，该方法通过在硅基底上制备金属硅化物之前，先进行第一道加热工艺，从而可去除在对所述硅基底进行表面清洗过程中残留的水汽，防止靠近场氧化层隔离结构边缘的金属硅化物变薄，使得在小线宽的源漏区和栅极上可以形成低阻的金属硅化物。 | ||
| 搜索关键词： | 金属硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金属硅化物的制备方法，其中，所述金属硅化物形成在MOS器件的表面，所述MOS器件制备在硅基底上，其特征在于，该方法在对所述硅基底及所述MOS器件进行表面清洗，去除表面自然氧化层之后，先进行第一道加热工艺，再在所述MOS器件表面制备金属硅化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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