[发明专利]金属硅化物的制备方法无效
| 申请号： | 201110061795.3 | 申请日： | 2011-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102176414A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 顾学强;肖慧敏;陈力山 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属硅 制备 方法 | ||
1.一种金属硅化物的制备方法，其中，所述金属硅化物形成在MOS器件的表面，所述MOS器件制备在硅基底上，其特征在于，该方法在对所述硅基底及所述MOS器件进行表面清洗，去除表面自然氧化层之后，先进行第一道加热工艺，再在所述MOS器件表面制备金属硅化物。
2.如权利要求1所述的金属硅化物的制备方法，其特征在于，该方法具体包括如下步骤：
提供硅基底；
在所述硅基底上形成MOS器件，所述MOS器件之间设置有场氧化层隔离结构；
对所述硅基底及所述MOS器件进行表面清洗，去除其表面的自然氧化层；
对所述硅基底进行第一道加热工艺，去除所述场氧化层隔离结构中吸附的水汽；
在所述MOS器件表面制备金属硅化物。
3.如权利要求2所述的金属硅化物的制备方法，其特征在于，所述MOS器件包括栅极、源极以及漏极，所述栅极的侧边形成有侧墙，所述金属硅化物形成在MOS器件的栅极、源极以及漏极的表面。
4.如权利要求2所述的金属硅化物的制备方法，其特征在于，所述第一道加热工艺的工艺温度为500～900℃。
5.如权利要求4所述的金属硅化物的制备方法，其特征在于，所述第一道加热工艺为快速加热工艺或加热板加热工艺。
6.如权利要求2所述的金属硅化物的制备方法，其特征在于，在所述硅基底上制备金属硅化物具体包括如下步骤：
在所述硅基底上沉积金属层；
对所述硅基底进行第二道加热工艺，使所述金属层中的金属与所述MOS器件的栅极、源极以及漏极反应，形成中间相金属硅化物；
去除未反应的剩余的金属层；
对所述硅基底进行第三道加热工艺，使所述中间相金属硅化物产生相变，形成最终的金属硅化物。
7.如权利要求6所述的金属硅化物的制备方法，其特征在于，所述去除未反应的剩余的金属层的方法为湿法腐蚀。
8.如权利要求1至7任一项所述的金属硅化物的制备方法，其特征在于，所述金属硅化物为钴硅化物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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