[发明专利]一种硅量子点的表面修饰改性方法有效
| 申请号： | 201110052410.7 | 申请日： | 2011-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN102173420A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 葛介超;汪鹏飞;赵文文;刘卫敏;张洪艳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 张文祎 |
| 地址： | 100190 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅量子点的表面修饰改性方法，该方法是将硅量子点溶解于有机溶剂中，加入过氧化物；然后在无水无氧的条件下进行加热反应，经纯化后得到产品。本发明方法工艺简单，反应条件易于控制，反应时间短，可实现大量、快速修饰改性硅量子点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 表面 修饰 改性 方法 | ||
【主权项】：
一种硅量子点的表面修饰改性方法，其特征在于：该方法是将硅量子点溶解于有机溶剂中，加入过氧化物；然后在无水无氧的条件下进行加热反应，经纯化后得到产品。
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