[发明专利]一种硅量子点的表面修饰改性方法有效
| 申请号： | 201110052410.7 | 申请日： | 2011-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN102173420A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 葛介超;汪鹏飞;赵文文;刘卫敏;张洪艳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 张文祎 |
| 地址： | 100190 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 量子 表面 修饰 改性 方法 | ||
1.一种硅量子点的表面修饰改性方法，其特征在于：该方法是将硅量子点溶解于有机溶剂中，加入过氧化物；然后在无水无氧的条件下进行加热反应，经纯化后得到产品。
2.根据权利要求1所述的硅量子点的表面修饰改性方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)将硅量子点溶解于有机溶剂中，然后加入过氧化物；
所述硅量子点和过氧化物的质量比为1∶30～300；
所述硅量子点∶有机溶剂＝3毫克∶2～6毫升；
2)在无水无氧条件下加热至60～180℃，反应0.5～4小时；
3)将步骤2)得到的硅量子点进行纯化，得到产品。
3.根据权利要求1或2所述的硅量子点的表面修饰改性方法，其特征在于：所述有机溶剂是苯、甲苯、二甲苯或二氯苯。
4.根据权利要求1或2所述的硅量子点的表面修饰改性方法，其特征在于：所述过氧化物是可以生成自由基的有机过氧化物。
5.根据权利要求4所述的硅量子点的表面修饰改性方法，其特征在于：所述有机过氧化物是过氧化丁二酸、过氧化二苯甲酰、过氧化月桂酸或二烷基过氧化物等。
6.根据权利要求2所述的硅量子点的表面修饰改性方法，其特征在于：所述硅量子点和过氧化物的质量比1∶100。
7.根据权利要求2所述的硅量子点的表面修饰改性方法，其特征在于：步骤2)中，加热的温度为120～150℃。
8.根据权利要求2所述的硅量子点的表面修饰改性方法，其特征在于：步骤2)中，反应时间为1～2小时。
9.根据权利要求2所述的硅量子点的表面修饰改性方法，其特征在于：步骤3)中，所述纯化方法是萃取方法、透析方法或高速离心方法。
10.根据权利要求1或2所述的硅量子点的表面修饰改性方法，其特征在于：所述的硅量子点是通过电化学腐蚀的方法制备而得到的硅量子点。
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