[发明专利]基于硅基散热的LED封装结构及制作方法无效
| 申请号： | 201110052198.4 | 申请日： | 2011-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN102176503A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 张靖;王培界 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64;H01L33/00 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人： | 侯懋琪 |
| 地址： | 400065 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于硅基散热的LED封装结构，它由带凹槽的硅衬底、垂直结构的LED芯片、P电极金属层、焊接金属层、SiO2绝缘层和N电极组成；本发明还公开了基于前述结构的硅基散热的大功率多芯片LED封装结构及其制作方法。本发明的有益技术效果是：本发明结构无需在热沉（即硅衬底）背面加工通孔，简化了工艺，底面可直接装焊到金属散热板上；本发明的结构具有热阻低、成本低、易于维护的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 散热 led 封装 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种基于硅基散热的LED封装结构，其特征在于：它由带凹槽（1‑2）的硅衬底（1）、垂直结构的LED芯片（2）、P电极金属层（3）、焊接金属层（4）、SiO2绝缘层（5）和N电极（6）组成；凹槽（1‑2）的槽壁（1‑2‑1）为斜壁；凹槽（1‑2）的槽底（1‑2‑2）尺寸等于或大于垂直结构的LED芯片（2）的横截面面积；SiO2绝缘层（5）覆盖于硅衬底（1）上表面，焊接金属层（4）覆盖于硅衬底（1）下表面；P电极金属层（3）覆盖于SiO2绝缘层（5）表面且为部分覆盖，P电极金属层（3）所覆盖的区域将凹槽（1‑2）所在区域完全覆盖；N电极（6）设置在未被P电极金属层（3）覆盖的SiO2绝缘层（5）表面，N电极（6）与P电极金属层（3）不接触；垂直结构的LED芯片（2）设置在凹槽（1‑2）槽底（1‑2‑2）处的P电极金属层（3）上，垂直结构的LED芯片（2）的上端面与N电极（6）之间通过引线(7)连接。
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