[发明专利]一种电流采样电路无效
申请号: | 201110052036.0 | 申请日: | 2011-03-04 |
公开(公告)号: | CN102097939A | 公开(公告)日: | 2011-06-15 |
发明(设计)人: | 健;王泽华;吴琼乐;陈吕赟;管超;柏文斌;杨毓俊;黎俐 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H02M3/157 | 分类号: | H02M3/157 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 周永宏 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种电流采样电路,包括第一NMOS管,第二NMOS管,第三NMOS管,第一电阻,其特征在于,还包括第一单端输出运算放大器,第二单端输出运算放大器,第三单端输出运算放大器,第一双端输出运算放大器,第二双端输出运算放大器,第一乘法器,第二乘法器。本发明通过采用五个运算放大器和两个乘法器,并利用第三NMOS管进行负反馈,实现了第一NMOS管和第二NMOS管漏源两极之间的电压成比例,突破了采样技术中要求功率管和采样管的三端电位完全一致的局限,相比于传统的电流采样结构,该电路结构的灵活性更大,同时提高了采样电流精度。 | ||
搜索关键词: | 一种 电流 采样 电路 | ||
【主权项】:
一种电流采样电路,包括第一NMOS管,第二NMOS管,第三NMOS管,第一电阻,其特征在于,还包括第一单端输出运算放大器,第二单端输出运算放大器,第三单端输出运算放大器,第一双端输出运算放大器,第二双端输出运算放大器,第一乘法器,第二乘法器;其中,第一NMOS管的栅极分别连接到第一单端输出运算放大器的正输入端、第二单端输出运算放大器的正输入端和第二NMOS管的栅极,第一NMOS管的源极分别连接到第一单端输出运算放大器的负输入端、第一乘法器的第二输入端和第一电阻的一端,第一电阻的另一端接地,第一NMOS管的漏极分别与第二NMOS管的漏极、第一乘法器的第一输入端和第二乘法器的第一输入端相连;第二NMOS管的源极分别连接第二单端输出运算放大器负输入端、第二乘法器的第二输入端和第三NMOS管的漏极,第一单端输出运算放大器的输出端接第一双端输出的运算放大器的正输入端,第一双端输出的运算放大器的负输入端接外部的基准电压源,外部的基准电压源的大小a1*VTH,其中,a1是第一单端输出运算放大器的放大增益,第一双端输出的运算放大器的两个输出端分别接第一乘法器第三、第四输入端,第二单端输出运算放大器的输出端接第二双端输出的运算放大器的正输入端,第二双端输出的运算放大器的负输入端接外部的基准电压源,外部的基准电压源的大小a2*VTH,其中,a2是第二单端输出运算放大器的放大增益,第二双端输出的运算放大器的两个输出端分别接第二乘法器第三、第四输入端,第一乘法器的输出端接第三单端输出运算放大器正输入端,第二乘法器的输出端接第三单端输出运算放大器负输入端,第三单端输出运算放大器输出端接第三NMOS管的栅极,第三NMOS管的源极接地。
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