[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110051057.0 申请日: 2011-02-25
公开(公告)号: CN102157580A 公开(公告)日: 2011-08-17
发明(设计)人: 郭政彰;李欣峯;胡雁程;陈均维;陈人杰;吴振诚 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L31/04 分类号: H01L31/04;H01L31/0352;H01L31/18
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 张浴月;刘文意
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种太阳能电池及其制造方法,包括一半导体基材、一重掺杂层、一淡掺杂层、一第一电极层以及一第二电极层。半导体基材具有一第一表面以及一第二表面。重掺杂层位于半导体基材内,且从半导体基材的第一表面往半导体基材之内部延伸一第一厚度。淡掺杂层位于半导体基材内,且从重掺杂层往半导体基材之内部延伸一第二厚度,其中重掺杂层的第一厚度小于淡掺杂层的第二厚度。第一电极层位于半导体基材的第一表面上。第二电极层位于半导体基材的第二表面上。本发明能提高太阳能电池的效能,并且能大幅缩减制造工艺时间与降低制造成本。
搜索关键词: 太阳能电池 及其 制造 方法
【主权项】:
一种太阳能电池,包括:一半导体基材,其具有一第一表面以及一第二表面;一重掺杂层,位于该半导体基材内,且从该半导体基材的该第一表面往该半导体基材的内部延伸一第一厚度;一淡掺杂层,位于该半导体基材内,且从该重掺杂层往该半导体基材的内部延伸一第二厚度,其中该重掺杂层的该第一厚度小于该淡掺杂层的该第二厚度;一第一电极层,位于该半导体基材的该第一表面上;以及一第二电极层,位于该半导体基材的该第二表面上。
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