[发明专利]太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，包括：

一半导体基材，其具有一第一表面以及一第二表面；

一重掺杂层，位于该半导体基材内，且从该半导体基材的该第一表面往该半导体基材的内部延伸一第一厚度；

一淡掺杂层，位于该半导体基材内，且从该重掺杂层往该半导体基材的内部延伸一第二厚度，其中该重掺杂层的该第一厚度小于该淡掺杂层的该第二厚度；

一第一电极层，位于该半导体基材的该第一表面上；以及

一第二电极层，位于该半导体基材的该第二表面上。

2.如权利要求1所述的太阳能电池，其中该重掺杂层具有一上表面以及一下表面，该下表面与该淡掺杂层接触，且该重掺杂层的浓度是从该上表面往该下表面逐渐递减。

3.如权利要求2所述的太阳能电池，其中该重掺杂层在该上表面的浓度为9E19～6E20(1/cm³)。

4.如权利要求2所述的太阳能电池，其中该重掺杂层在该下表面的浓度为9E18～5E19(1/cm³)。

5.如权利要求1所述的太阳能电池，其中该重掺杂层的该第一厚度为0.02～0.07微米。

6.如权利要求1所述的太阳能电池，其中该淡掺杂层的该第二厚度为0.3～0.6微米。

7.如权利要求1所述的太阳能电池，其中该淡掺杂层的浓度是从该重掺杂层往半导体基材的内部逐渐递减。

8.如权利要求7所述的太阳能电池，其中该淡掺杂层的浓度为3E19(1/cm³)以下。

9.如权利要求1所述的太阳能电池，其中该重掺杂层全面形成于该淡掺杂层之上。

10.一种太阳能电池的制造方法，包括：

提供一半导体基材，其具有一第一表面以及一第二表面；

进行一第一掺杂程序，以使该第一掺杂程序的一掺杂源从该半导体基材的该第一表面往其内部扩散，以形成一淡掺杂层；

进行一第二掺杂程序，以使该第二掺杂程序的一掺杂源从该淡掺杂层的表面往其内部扩散，以形成一重掺杂层；

在该重掺杂层上形成一第一电极层；以及

于该半导体基材的该第二表面上形成一第二电极层。

11.如权利要求10所述的太阳能电池的制造方法，其中该第一掺杂程序包括：

进行一第一扩散步骤，其中该第一扩散步骤的时间为50～70分钟，且温度为摄氏800～840度；以及

进行一第二扩散步骤，其中该第二扩散步骤的时间为25～35分钟，且温度为摄氏850～880度。

12.如权利要求10所述的太阳能电池的制造方法，其中该第二掺杂程序的时间为1～3分钟，且温度为摄氏880～900度。

13.如权利要求10所述的太阳能电池的制造方法，其中该重掺杂层具有一上表面以及一下表面，该下表面与该淡掺杂层接触，且该重掺杂层的浓度是从该上表面往该下表面逐渐递减。

14.如权利要求13所述的太阳能电池的制造方法，其中该重掺杂层在该上表面的浓度为9E19～6E20(1/cm³)。

15.如权利要求13所述的太阳能电池的制造方法，其中该重掺杂层在该下表面的浓度为9E18～5E19(1/cm³)。

16.如权利要求10所述的太阳能电池的制造方法，其中该重掺杂层的厚度为0.02至0.07微米。

17.如权利要求10所述的太阳能电池的制造方法，其中该淡掺杂层的厚度为0.3～0.6微米。

18.如权利要求10所述的太阳能电池的制造方法，其中该淡掺杂层的浓度是从该重掺杂层往半导体基材逐渐递减。

19.如权利要求18所述的太阳能电池的制造方法，其中该淡掺杂层的浓度为3E19(1/cm³)以下。

20.如权利要求10所述的太阳能电池的制造方法，其中该重掺杂层全面形成于该淡掺杂层之上。