[发明专利]双多晶硅闪存的堆叠式电容器及其制造方法有效
| 申请号： | 201110049659.2 | 申请日： | 2011-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102254952A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 张有志;沈安星;姜淳远 | 申请（专利权）人： | 常忆科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;郑焱 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学工业*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种双多晶硅闪存的堆叠式电容器及其制造方法。此堆叠式电容器是由下电极、下介电层、中电极、上介电层及上电极所组成，其中下电极为基底中的掺杂区域。此堆叠式电容器的制程能完整地整合于双多晶硅闪存的制程中。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 闪存 堆叠 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种双多晶硅闪存的堆叠式电容器，该堆叠式电容器至少包含：一下电极，其中该下电极包含基底中的第一掺杂区，并与该闪存的穿遂掺杂区同时形成；一下介电层，位于该下电极之上，其中该下介电层与该闪存的穿遂介电层同时形成；一中电极，位于该下介电层之上，其中该中电极与该闪存的浮栅同时形成；一上介电层，位于该中电极之上并暴露出部分的该中电极，其中该上介电层与该闪存的中央介电层同时形成；以及一上电极，位于该上介电层之上，其中该上电极与该闪存的控制栅同时形成。
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