[发明专利]双多晶硅闪存的堆叠式电容器及其制造方法

权利要求书

1.一种双多晶硅闪存的堆叠式电容器，该堆叠式电容器至少包含：

一下电极，其中该下电极包含基底中的第一掺杂区，并与该闪存的穿遂掺杂区同时形成；

一下介电层，位于该下电极之上，其中该下介电层与该闪存的穿遂介电层同时形成；

一中电极，位于该下介电层之上，其中该中电极与该闪存的浮栅同时形成；

一上介电层，位于该中电极之上并暴露出部分的该中电极，其中该上介电层与该闪存的中央介电层同时形成；以及

一上电极，位于该上介电层之上，其中该上电极与该闪存的控制栅同时形成。

2.根据权利要求1所述的双多晶硅闪存的堆叠式电容器，其中该下电极还包含一第二掺杂区，该第二掺杂区位于暴露出的该第一掺杂区之中。

3.根据权利要求1所述的双多晶硅闪存的堆叠式电容器，其中该下介电层为一热氧化层或具有高介电常数的一介电层。

4.根据权利要求1所述的双多晶硅闪存的堆叠式电容器，其中该中电极为一多晶硅层或一导电层，该上电极为一多晶硅层或一导电层。

5.根据权利要求1所述的双多晶硅闪存的堆叠式电容器，其中该上介电层为氧化层-氮化层-氧化层的复合层或具有高介电常数的介电层。

6.一种双多晶硅闪存的堆叠式电容器的制造方法，该堆叠式电容器的制造方法至少包含：

形成该堆叠式电容器的一下电极，其中该下电极包含基底中的第一掺杂区，并与该闪存的穿遂掺杂区同时形成；

依序形成一第一介电层与一第一导电层于该基底上；

同时图案化该第一介电层与该第一导电层，其中该第一介电层被图案化形成该堆叠式电容器的下介电层及该闪存的穿遂介电层，该第一导电层被图案化形成该堆叠式电容器的中电极及该闪存的浮栅，其中该下介电层覆盖在部分的该第一掺杂区之上，该中电极位于该下介电层之上；

依序形成一第二介电层与一第二导电层于该基底上；以及

同时图案化该第二介电层与该第二导电层，其中该第二介电层被图案化形成该堆叠式电容器的上介电层及该闪存的中央介电层，该第二导电层被图案化形成该堆叠式电容器的上电极及该闪存的控制栅，其中该上介电层位于部分的该中电极之上，该上电极位于该上介电层之上。

7.根据权利要求6所述的双多晶硅闪存的堆叠式电容器的制造方法，还包含形成一第二掺杂区于暴露出的该第一掺杂区之中。

8.根据权利要求6所述的双多晶硅闪存的堆叠式电容器的制造方法，其中该下介电层为一热氧化层或具有高介电常数的一介电层。

9.根据权利要求6所述的双多晶硅闪存的堆叠式电容器的制造方法，其中该中电极为一多晶硅层或一导电层，该上电极为一多晶硅层或一导电层。

10.根据权利要求6所述的双多晶硅闪存的堆叠式电容器的制造方法，其中该上介电层为氧化层-氮化层-氧化层的复合层或具有高介电常数的介电层。