[发明专利]一种芯片保护结构以及形成方法有效
| 申请号： | 201110049531.6 | 申请日： | 2011-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN102655127A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 胡敏达;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/28 | 分类号： | H01L23/28;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种芯片保护结构，包括：边缘密封结构和裂纹停止结构，所述裂纹停止结构与所述边缘密封结构相邻；所述裂纹停止结构包括层间介质层，位于层间介质层内且与层间介质层表面齐平的分立金属布线层，覆盖层间介质层和金属布线层的保护层，位于保护层上的密封层，位于保护层和密封层内的缓冲沟槽；所述缓冲沟槽侧壁具有铝侧墙，且铝侧墙位于保护层上，所述铝侧墙位置与相应金属布线层未被密封层覆盖的部分对应。此外，还提供制造所述芯片保护结构的工艺方法。本发明通过在现有缓冲沟槽的内侧壁设置铝侧墙来保护金属布线层，使得刻蚀密封层时，不会暴露金属布线层中的铜金属，从而避免了铜金属对半导体器件的性能产生不良影响，从而提高最终芯片的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 保护 结构 以及 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片保护结构，包括：边缘密封结构和裂纹停止结构，所述裂纹停止结构与所述边缘密封结构相邻；所述裂纹停止结构包括层间介质层，位于层间介质层内且与层间介质层表面齐平的分立金属布线层，覆盖层间介质层和金属布线层的保护层，位于保护层上的密封层，位于保护层和密封层内的缓冲沟槽；其特征在于，所述缓冲沟槽侧壁具有铝侧墙，且铝侧墙位于保护层上，所述铝侧墙位置与相应金属布线层未被密封层覆盖的部分对应。
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