[发明专利]一种芯片保护结构以及形成方法

权利要求书

1.一种芯片保护结构，包括：边缘密封结构和裂纹停止结构，所述裂纹停止结构与所述边缘密封结构相邻；所述裂纹停止结构包括层间介质层，位于层间介质层内且与层间介质层表面齐平的分立金属布线层，覆盖层间介质层和金属布线层的保护层，位于保护层上的密封层，位于保护层和密封层内的缓冲沟槽；其特征在于，所述缓冲沟槽侧壁具有铝侧墙，且铝侧墙位于保护层上，所述铝侧墙位置与相应金属布线层未被密封层覆盖的部分对应。

2.根据权利要求1所述的芯片保护结构，其特征在于，所述铝侧墙宽度大于等于相应金属布线层未被密封层覆盖的部分的宽度。

3.根据权利要求1所述的芯片保护结构，其特征在于，所述金属布线层的材料是铜。

4.根据权利要求1所述的芯片保护结构，其特征在于，所述边缘密封结构包括层间介质层；位于层间介质层内且与层间介质层表面齐平的分立金属布线层；覆盖层间介质层和金属布线层的保护层，所述保护层内具有露出金属布线层的开口；位于保护层上且填充满开口的铝焊盘，位于铝焊盘上的密封层。

5.根据权利要求1或4所述的芯片保护结构，其特征在于，所述保护层的材料是氮化硅或氧化硅。

6.根据权利要求1或4所述的芯片保护结构，其特征在于，所述密封层的材料是氧化硅或氮化硅。

7.一种形成如权利要求1或4所述芯片保护结构的方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括边缘密封区和裂纹停止区；

在半导体衬底上形成层间介质层，所述层间介质层内具有与层间介质层表面齐平的分立金属布线层；

在层间介质层及金属布线层上形成保护层；

在保护层上形成铝金属层；

刻蚀铝金属层，保留边缘密封区内的铝金属层，使裂纹停止区内剩余铝金属层的位置与各金属布线层的部分宽度对应；

在铝金属层及保护层上形成密封层；

刻蚀裂纹停止区的密封层和保护层，形成缓冲沟槽，所述剩余铝金属层位于缓冲沟槽的两侧壁。

8.根据权利要求7所述的芯片保护结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料是氮化硅或氧化硅，形成所述保护层的方法是为化学气相沉积法。

9.根据权利要求7所述的芯片保护结构的形成方法，其特征在于，所述密封层的材料是氧化硅或氮化硅，形成所述密封层的方法是为化学气相沉积法。

10.根据权利要求7所述的芯片保护结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述铝金属层的方法是干法刻蚀。

11.根据权利要求7所述的芯片保护结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述保护层和所述密封层的方法是湿法刻蚀。

12.根据权利要求7所述的芯片保护结构的形成方法，其特征在于，所述步骤：在层间介质层及金属布线层上形成保护层之后还包括如下步骤：刻蚀边缘密封区内的部分保护层至露出金属布线层，在所述保护层内形成开口。