[发明专利]一种鳍型场效应晶体管的制备方法有效
| 申请号： | 201110046786.7 | 申请日： | 2011-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN102651320A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 周华杰;徐秋霞;宋毅 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种鳍型场效应晶体管的制造方法，包括：在半导体衬底上形成Ω形鳍片；在所述Ω形鳍片的顶部及侧面形成栅堆叠结构；在所述栅堆叠结构两侧的Ω形鳍片中形成源/漏结构；金属化。其中，除所述Ω形鳍片底部通过较窄的硅条与半导体衬底相连以外，其余栅堆叠结构部分与半导体衬底之间通过隔离介质层隔离开。本发明消除了SOI器件存在的自加热效应和浮体效应，具有更低的成本；克服了一般体硅鳍型场效应晶体管(Bulk FinFET)泄漏电流大的缺点，具有更好的短沟道效应(SCE)特性；与CMOS平面工艺的良好兼容，易于集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍型场效应晶体管的制备方法，包括：在半导体衬底上形成Ω形鳍片；在所述Ω形鳍片的顶部及侧面形成栅堆叠结构；在所述栅堆叠结构两侧的Ω形鳍片中形成源/漏结构；金属化；其中，除所述Ω形鳍片底部通过较窄的硅条与半导体衬底相连以外，其余栅堆叠结构部分与半导体衬底之间通过隔离介质层隔离开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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