[发明专利]一种鳍型场效应晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种鳍型场效应晶体管的制备方法，包括：

在半导体衬底上形成Ω形鳍片；

在所述Ω形鳍片的顶部及侧面形成栅堆叠结构；

在所述栅堆叠结构两侧的Ω形鳍片中形成源/漏结构；

金属化；

其中，除所述Ω形鳍片底部通过较窄的硅条与半导体衬底相连以外，其余栅堆叠结构部分与半导体衬底之间通过隔离介质层隔离开。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在半导体衬底上形成Ω形鳍片的步骤包括：

在半导体衬底上形成介质层；

刻蚀所述介质层及半导体衬底以嵌入所述半导体衬底形成至少两个凹槽，所述凹槽之间形成鳍片；

在所述鳍片的侧壁形成侧墙；

进一步刻蚀所述凹槽及鳍片底部的半导体衬底形成Ω形鳍片；

在所述Ω形鳍片的下方和凹槽的底部形成隔离介质层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述介质层包括SiO₂、TEOS或Si₃N₄。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述鳍片的宽度为10-60nm。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述在鳍片的侧壁形成侧墙的步骤包括：

在所述半导体衬底上形成第二介质层；

刻蚀所述第二介质层以形成侧墙。

6.根据权利要求2所述的方法，所述刻蚀凹槽及鳍片底部的半导体衬底形成Ω形鳍片的步骤包括：

采用各向同性的刻蚀方法进一步刻蚀所述凹槽以使所述凹槽进一步延伸到所述半导体衬底中，同时凹槽向鳍片底部延伸，控制刻蚀工艺以保证在鳍片底部仍保留一部分衬底不被刻蚀，在鳍片底部形成一部分较窄的硅条，最终形成Ω形鳍片。

7.根据权利要求2所述的方法，所述隔离介质层包括填充介质层，所述在Ω形鳍片和凹槽的下方的形成隔离介质层的步骤包括：

在半导体衬底上形成填充介质层；

进一步CMP和回刻填充介质层将Ω形鳍片完全露出，在凹槽的底部留有一层填充介质层形成隔离介质层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述隔离介质层的厚度为50-300nm。

9.根据权利要求1所述的方法，所述Ω形鳍片的顶部和侧面形成栅堆叠结构的步骤包括：

在Ω形鳍片的顶部和侧面形成栅介质层和栅电极材料；

光刻、刻蚀形成栅电极堆叠结构。

10.根据权利要求1所述的方法，在所述栅堆叠结构两侧的Ω形鳍片中形成源/漏结构之前，所述方法进一步包括：

进行倾角离子注入和低能离子注入，以在所述Ω形鳍片中形成源/漏延伸区。

11.根据权利要求1所述的方法，所述在栅堆叠结构两侧的Ω形鳍片中形成源/漏结构步骤包括：

在Ω形鳍片的两侧形成侧墙；

离子注入并激活形成源漏掺杂区；

形成源漏硅化物。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其中，所述半导体衬底为体硅衬底。