[发明专利]无铅印制电路板用复配OSP处理剂有效
| 申请号: | 201110043355.5 | 申请日: | 2011-02-23 | 
| 公开(公告)号: | CN102121108A | 公开(公告)日: | 2011-07-13 | 
| 发明(设计)人: | 肖定军;刘彬云;冼日华;王植材;涂敬仁 | 申请(专利权)人: | 广东东硕科技有限公司 | 
| 主分类号: | C23F11/10 | 分类号: | C23F11/10;C23F11/14;H05K3/28 | 
| 代理公司: | 广州三辰专利事务所 44227 | 代理人: | 范钦正 | 
| 地址: | 510545 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 | 
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| 摘要: | 本发明涉及无铅印制电路板用复配OSP处理剂,用于印制电路板铜面形成优良可焊性保护膜。它公开了作为成膜活性成分是一个复配的咪唑化合物,即由二氟代苄基苯并咪唑和2,4位二芳基取代的咪唑化合物组成。所述二氟代苄基苯并咪唑为新的有机化合物,用量比例为0.01~0.1wt%,所述2,4位二芳基取代咪唑的用量比例为0.1~1.0wt%。本发明的处理剂不含溴、铅、汞等有害物质,绿色环保,符合欧盟RoHS标准和REACH法规,在印制电路板形成的OSP膜对铜焊盘有非常出色的保护功能,其抗氧化、抗变色和可焊性能力优良,克服内存插槽孔上锡不良的问题。所述二氟代苄基苯并咪唑结构通式如下: | ||
| 搜索关键词: | 铅印 电路板 用复配 osp 处理 | ||
【主权项】:
                1.无铅印制电路板用复配OSP处理剂,它包括复配咪唑化合物、有机酸,金属化合物,卤化物,缓冲剂和水,其特征是作为成膜活性成分是一个复配的咪唑化合物,即由二氟代苄基苯并咪唑和2, 4位二芳基取代的咪唑化合物组成,所述二氟代苄基苯并咪唑为新的有机化合物,用量比例为0.01~0.1wt%,所述2, 4位二芳基取代咪唑的用量比例为0.1~1.0wt%,所述二氟代苄基苯并咪唑结构通式和物理常数如下:![]() 化合物(1): 熔点(m.p.) 208℃; 红外IR( KBr ), n/cm-1: 3447.8(w), 3025.0(w), 2945.3(w), 2867.1(w), 1627.0(w), 1485.3(s), 1470.8(s), 1456.2(s), 1276.4(s), 1015.8(s), 802.0(m), 785.7(m); 1HNMR(300MHz, CDCl3), δ(ppm): 4.3(s, 2H), 6.8~7.1(m, 3H), 7.2~7.4(m, 3H), 2.5(s, 3H); MS(APCI, m/Z, %): 258(M+, 61.9), 257(21.2), 239(100), 222(5.8), 145(3.1), 127(9.3), 118(6.4), 77(5.9); 元素分析(C15H12F2N2理论值C 69.76, H 4.68, N 10.85, F 14.71)实测值: C 69.73, H 4.76, N 10.78, F 14.70;化合物(2): 熔点(m.p.) 243℃; 红外IR( KBr ), n/cm-1: 3448.1(w), 3051.1(w), 2950.3(w), 2887.1(w), 1628.8(s), 1485.8(s), 1471.2(s), 1457.9(s), 1288.9(s), 1031.9(s), 785.5(m), 756.5(m); 1HNMR(300MHz, CDCl3), δ(ppm): 4.3(s, 2H), 6.8~7.1(m, 3H), 7.1~7.2(m, 4H); MS(APCI, m/Z, %): 244(M+, 58.6), 243(16.8), 225(100), 127(10.0), 112(5.9), 77(5.0); 元素分析(C14H10F2N2理论值C 68.85, H 4.13, N 11.47, F 15.56)实测值: C 68.77, H 4.11, N 11.46, F 15.57;化合物(3): 熔点(m.p.) 161℃; 红外IR( KBr ), n/cm-1: 3447.5(w), 3083.8(w), 2998.4(w), 2737.3(w), 1612.9(w), 1537.7(s), 1516.7(s), 1456.2(s), 1420.5(s), 1282.8(s), 766.0(s), 747.6(m); 1HNMR(300MHz, CDCl3), δ(ppm): 4.2(s, 2H), 6.9~7.1(m, 3H), 7.2~7.6(m, 4H); MS(APCI, m/Z, %): 244(M+, 95.5), 243(100.0), 225(6.4), 131(10.5), 112(5.1), 77(4.3); 元素分析(C14H10F2N2理论值C 68.85, H 4.13, N 11.47, F 15.56)实测值: C 68.73, H 4.21, N 11.50, F 15.56。
化合物(1): 熔点(m.p.) 208℃; 红外IR( KBr ), n/cm-1: 3447.8(w), 3025.0(w), 2945.3(w), 2867.1(w), 1627.0(w), 1485.3(s), 1470.8(s), 1456.2(s), 1276.4(s), 1015.8(s), 802.0(m), 785.7(m); 1HNMR(300MHz, CDCl3), δ(ppm): 4.3(s, 2H), 6.8~7.1(m, 3H), 7.2~7.4(m, 3H), 2.5(s, 3H); MS(APCI, m/Z, %): 258(M+, 61.9), 257(21.2), 239(100), 222(5.8), 145(3.1), 127(9.3), 118(6.4), 77(5.9); 元素分析(C15H12F2N2理论值C 69.76, H 4.68, N 10.85, F 14.71)实测值: C 69.73, H 4.76, N 10.78, F 14.70;化合物(2): 熔点(m.p.) 243℃; 红外IR( KBr ), n/cm-1: 3448.1(w), 3051.1(w), 2950.3(w), 2887.1(w), 1628.8(s), 1485.8(s), 1471.2(s), 1457.9(s), 1288.9(s), 1031.9(s), 785.5(m), 756.5(m); 1HNMR(300MHz, CDCl3), δ(ppm): 4.3(s, 2H), 6.8~7.1(m, 3H), 7.1~7.2(m, 4H); MS(APCI, m/Z, %): 244(M+, 58.6), 243(16.8), 225(100), 127(10.0), 112(5.9), 77(5.0); 元素分析(C14H10F2N2理论值C 68.85, H 4.13, N 11.47, F 15.56)实测值: C 68.77, H 4.11, N 11.46, F 15.57;化合物(3): 熔点(m.p.) 161℃; 红外IR( KBr ), n/cm-1: 3447.5(w), 3083.8(w), 2998.4(w), 2737.3(w), 1612.9(w), 1537.7(s), 1516.7(s), 1456.2(s), 1420.5(s), 1282.8(s), 766.0(s), 747.6(m); 1HNMR(300MHz, CDCl3), δ(ppm): 4.2(s, 2H), 6.9~7.1(m, 3H), 7.2~7.6(m, 4H); MS(APCI, m/Z, %): 244(M+, 95.5), 243(100.0), 225(6.4), 131(10.5), 112(5.1), 77(4.3); 元素分析(C14H10F2N2理论值C 68.85, H 4.13, N 11.47, F 15.56)实测值: C 68.73, H 4.21, N 11.50, F 15.56。
            
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