[发明专利]无铅印制电路板用复配OSP处理剂有效

专利信息
申请号: 201110043355.5 申请日: 2011-02-23
公开(公告)号: CN102121108A 公开(公告)日: 2011-07-13
发明(设计)人: 肖定军;刘彬云;冼日华;王植材;涂敬仁 申请(专利权)人: 广东东硕科技有限公司
主分类号: C23F11/10 分类号: C23F11/10;C23F11/14;H05K3/28
代理公司: 广州三辰专利事务所 44227 代理人: 范钦正
地址: 510545 广东省*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 铅印 电路板 用复配 osp 处理
【权利要求书】:

1.无铅印制电路板用复配OSP处理剂,它包括复配咪唑化合物、有机酸,金属化合物,卤化物,缓冲剂和水,其特征是作为成膜活性成分是一个复配的咪唑化合物,即由二氟代苄基苯并咪唑和2, 4位二芳基取代的咪唑化合物组成,所述二氟代苄基苯并咪唑为新的有机化合物,用量比例为0.01~0.1wt%,所述2, 4位二芳基取代咪唑的用量比例为0.1~1.0wt%,所述二氟代苄基苯并咪唑结构通式和物理常数如下:

化合物(1): 熔点(m.p.) 208℃; 红外IR( KBr ), n/cm-1: 3447.8(w), 3025.0(w), 2945.3(w), 2867.1(w), 1627.0(w), 1485.3(s), 1470.8(s), 1456.2(s), 1276.4(s), 1015.8(s), 802.0(m), 785.7(m); 1HNMR(300MHz, CDCl3), δ(ppm): 4.3(s, 2H), 6.8~7.1(m, 3H), 7.2~7.4(m, 3H), 2.5(s, 3H); MS(APCI, m/Z, %): 258(M+, 61.9), 257(21.2), 239(100), 222(5.8), 145(3.1), 127(9.3), 118(6.4), 77(5.9); 元素分析(C15H12F2N2理论值C 69.76, H 4.68, N 10.85, F 14.71)实测值: C 69.73, H 4.76, N 10.78, F 14.70;

化合物(2): 熔点(m.p.) 243℃; 红外IR( KBr ), n/cm-1: 3448.1(w), 3051.1(w), 2950.3(w), 2887.1(w), 1628.8(s), 1485.8(s), 1471.2(s), 1457.9(s), 1288.9(s), 1031.9(s), 785.5(m), 756.5(m); 1HNMR(300MHz, CDCl3), δ(ppm): 4.3(s, 2H), 6.8~7.1(m, 3H), 7.1~7.2(m, 4H); MS(APCI, m/Z, %): 244(M+, 58.6), 243(16.8), 225(100), 127(10.0), 112(5.9), 77(5.0); 元素分析(C14H10F2N2理论值C 68.85, H 4.13, N 11.47, F 15.56)实测值: C 68.77, H 4.11, N 11.46, F 15.57;

化合物(3): 熔点(m.p.) 161℃; 红外IR( KBr ), n/cm-1: 3447.5(w), 3083.8(w), 2998.4(w), 2737.3(w), 1612.9(w), 1537.7(s), 1516.7(s), 1456.2(s), 1420.5(s), 1282.8(s), 766.0(s), 747.6(m); 1HNMR(300MHz, CDCl3), δ(ppm): 4.2(s, 2H), 6.9~7.1(m, 3H), 7.2~7.6(m, 4H); MS(APCI, m/Z, %): 244(M+, 95.5), 243(100.0), 225(6.4), 131(10.5), 112(5.1), 77(4.3); 元素分析(C14H10F2N2理论值C 68.85, H 4.13, N 11.47, F 15.56)实测值: C 68.73, H 4.21, N 11.50, F 15.56。

2.根据权利要求1所述的无铅印制电路板用复配OSP处理剂,其特征是所述的二氟代苄基苯并咪唑的用量比例为0.05~0.08wt%。

3.根据权利要求2所述的无铅印制电路板用复配OSP处理剂,其特征是所述的二氟代苄基苯并咪唑的用量比例为0.07wt%。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东东硕科技有限公司,未经广东东硕科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110043355.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top