[发明专利]控制光刻设备的方法和设备有效
| 申请号： | 201110042370.8 | 申请日： | 2011-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN102163001A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | B·曼科特柴可夫;A·帕迪尔 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明提供一种控制光刻设备的方法和设备。使用扫描器在衬底上执行光刻曝光过程。扫描器包括若干子系统。在曝光期间存在有在系统中产生的重叠误差。使用散射仪测量重叠误差以获得重叠测量值。执行模型化以通过重叠测量值单独地确定估计的模型参数的不同子集，例如场变形模型参数、扫描/步进方向模型参数以及位置/变形模型参数。每个子集与光刻设备的相应的具体子系统中引起的重叠误差相关。最后，通过控制扫描器的具体子系统来控制扫描器中的曝光，其中使用估计的模型参数的相应子集控制所述扫描器的具体子系统。这导致产品晶片以被良好控制的重叠而曝光。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 光刻 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种控制光刻设备的方法，所述方法包括下列步骤：使用所述光刻设备在衬底上执行光刻过程；测量在所述光刻过程中产生的衬底性质，以获得衬底性质测量值；通过所述衬底性质测量值单独地确定所述光刻设备的估计的模型参数的多个子集，其中每个子集与所述衬底性质中由所述光刻设备的相应的具体子系统中引起的误差相关；和通过控制所述光刻设备的具体子系统、由所述光刻设备控制光刻工艺，其中使用估计的模型参数的所述被控制的具体子系统的相应子集控制所述光刻设备的具体子系统。
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