[发明专利]控制光刻设备的方法和设备有效

专利信息
申请号: 201110042370.8 申请日: 2011-02-18
公开(公告)号: CN102163001A 公开(公告)日: 2011-08-24
发明(设计)人: B·曼科特柴可夫;A·帕迪尔 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王波波
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 控制 光刻 设备 方法
【权利要求书】:

1.一种控制光刻设备的方法,所述方法包括下列步骤:

使用所述光刻设备在衬底上执行光刻过程;

测量在所述光刻过程中产生的衬底性质,以获得衬底性质测量值;

通过所述衬底性质测量值单独地确定所述光刻设备的估计的模型参数的多个子集,其中每个子集与所述衬底性质中由所述光刻设备的相应的具体子系统中引起的误差相关;和

通过控制所述光刻设备的具体子系统、由所述光刻设备控制光刻工艺,其中使用估计的模型参数的所述被控制的具体子系统的相应子集控制所述光刻设备的具体子系统。

2.如权利要求1所述的方法,其中,估计的模型参数的所述多个子集中的至少一个包括与在所述衬底性质中由所述光刻设备的相应的定位子系统中引起的定位误差相关的参数。

3.如权利要求1或2所述的方法,其中,估计的模型参数的所述多个子集中的至少一个包括与在所述衬底性质中由所述光刻设备的相应的机械或热子系统引起的衬底变形误差相关的参数。

4.一种用于控制用以在衬底上执行光刻过程的光刻设备所实施的光刻工艺的设备,所述设备包括:

检验设备,用于测量所述光刻过程中产生的衬底性质、以获得衬底性质测量值;和

处理器,配置成:

通过所述衬底性质测量值单独地确定所述光刻设备的估计的模型参数的多个子集,其中每个子集与所述衬底性质中由所述光刻设备的相应的具体子系统中引起的误差相关;和

通过控制所述光刻设备的具体子系统、由所述光刻设备控制光刻工艺,其中使用估计的模型参数的所述被控制的具体子系统的相应子集来控制所述光刻设备的具体子系统。

5.根据权利要求4所述的设备,其中,估计的模型参数的所述多个子集中的至少一个包括与在所述衬底性质中由所述光刻设备的相应的定位子系统中引起的定位误差相关的参数。

6.根据权利要求4或5所述的设备,其中,估计的模型参数的所述多个子集中的至少一个包括与在所述衬底性质中由所述光刻设备的相应的机械或热子系统引起的衬底变形误差相关的参数。

7.一种计算机程序产品,包含一个或多个序列的机器可读指令,用于控制用以在衬底上执行光刻过程的光刻设备实施的光刻工艺,所述指令适于引起一个或多个处理器执行下列动作:

接收所述光刻过程中产生的衬底性质测量值;

通过所述衬底性质测量值单独地确定所述光刻设备的估计的模型参数的多个子集,其中每个子集与所述衬底性质中由所述光刻设备的相应的具体子系统中引起的误差相关;和

通过控制所述光刻设备的具体子系统、由所述光刻设备控制光刻工艺,其中使用估计的模型参数的所述被控制的具体子系统的相应子集来控制所述光刻设备的具体子系统。

8.一种用于控制光刻工艺的设备,包括:

检验设备,配置用以测量光刻过程中产生的衬底性质以获得衬底性质测量值;和

处理器,配置成:

通过所述衬底性质测量值单独地确定所述光刻设备的估计的模型参数的多个子集,其中每个子集与所述衬底性质中由所述光刻设备的相应的具体子系统中引起的一个或多个误差相关;和

通过控制所述光刻设备的具体子系统、由所述光刻设备控制光刻工艺,其中使用估计的模型参数的所述被控制的具体子系统的相应子集来控制所述光刻设备的具体子系统。

9.根据权利要求8所述的设备,其中,估计的模型参数的所述多个子集中的至少一个包括与在所述衬底性质中由所述光刻设备的相应的定位子系统中引起的定位误差相关的参数。

10.根据权利要求8所述的设备,其中,估计的模型参数的所述多个子集中的至少一个包括与在所述衬底性质中由所述光刻设备的相应的机械或热子系统引起的衬底变形误差相关的参数。

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