[发明专利]使用利文森型掩模的图形形成方法及该掩模的制造方法有效
| 申请号： | 201110040479.8 | 申请日： | 2006-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102073224A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 奥野满;茂庭明美 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李浩;高为 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及使用利文森型掩模的图形形成方法及该掩模的制造方法，该图形形成方法，包括具有第一最小尺寸（Dmin1）的第一图形部（10a）和第二最小尺寸（Dmin2）的第二图形部（10b），其中包括使用利文森型掩模进行曝光的第一曝光步骤和使用半色调型掩模进行曝光的第二曝光步骤。第二最小尺寸（Dmin2）为第一最小尺寸（Dmin1）的1.3倍以上时，第二曝光步骤的曝光量设为第一曝光步骤的曝光量以下。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 利文森型掩模 图形 形成 方法 制造 | ||
【主权项】：
一种图形形成方法，该图形包含第一图形和第二图形，该第一图形具有作为跨越尺寸中最小尺寸的第一最小尺寸，该第二图形具有作为跨越尺寸中最小尺寸的第二最小尺寸，其中，包含：第一曝光步骤，使用利文森型掩模，进行形成所述第一图形的曝光；第二曝光步骤，使用半色调型掩模，进行形成所述第二图形的曝光，所述第二最小尺寸为所述第一最小尺寸的1.3倍以上的情况下，所述第二曝光步骤的曝光量在所述第一曝光步骤的曝光量以下。
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