[发明专利]使用利文森型掩模的图形形成方法及该掩模的制造方法有效
| 申请号： | 201110040479.8 | 申请日： | 2006-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102073224A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 奥野满;茂庭明美 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李浩;高为 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 利文森型掩模 图形 形成 方法 制造 | ||
1.一种图形形成方法，该图形包含第一图形和第二图形，该第一图形具有作为跨越尺寸中最小尺寸的第一最小尺寸，该第二图形具有作为跨越尺寸中最小尺寸的第二最小尺寸，其中，
包含：第一曝光步骤，使用利文森型掩模，进行形成所述第一图形的曝光；第二曝光步骤，使用半色调型掩模，进行形成所述第二图形的曝光，
所述第二最小尺寸为所述第一最小尺寸的1.3倍以上的情况下，所述第二曝光步骤的曝光量在所述第一曝光步骤的曝光量以下。
2.如权利要求1记载的图形形成方法，其中
使用所述半色调型掩模进行所述第二曝光步骤，该半色调型掩模具有成为比所述第一曝光步骤的曝光量少的曝光量的透射率。
3.如权利要求1或2记载的图形形成方法，用于基于65nm以下的设计基准进行半导体装置的制造，其中
由下式求出的ILS值为34以上：
ILS值=（I/Is）×（ΔI/Δx）…（1）
其中，Is是线形图形的宽度80nm的切片值、ΔI/Δx是成为光强度线的切片值的点的梯度。
4.如权利要求1或2记载的图形形成方法，其中
所述利文森型掩模以及半色调型掩模中的至少一种掩模，使用形成为具有光学邻近校正的掩模。
5.一种图形形成方法，该图形包含第一图形和第二图形，该第一图形具有作为跨越尺寸中最小尺寸的第一最小尺寸，该第二图形具有作为跨越尺寸中最小尺寸的第二最小尺寸，其中，
包含：第一曝光步骤，使用利文森型掩模，进行形成所述第一图形的曝光；第二曝光步骤，使用半色调型掩模，进行形成所述第二图形的曝光，
所述第二最小尺寸为所述第一最小尺寸的1.0倍以上、1.1倍以下的情况下，将所述第二曝光步骤的曝光量设定为比所述第一曝光步骤的曝光量大。
6.如权利要求5记载的图形形成方法，其中
所述利文森型掩模以及半色调型掩模中的至少一种掩模，使用形成为具有光学邻近校正的掩模。
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