[发明专利]曝光装置和曝光方法无效
申请号: | 201110038765.0 | 申请日: | 2011-02-16 |
公开(公告)号: | CN102298943A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 斋藤昭也;铃木明俊;会田桐;林忍 | 申请(专利权)人: | 索尼公司;索尼信息技术股份有限公司 |
主分类号: | G11B7/26 | 分类号: | G11B7/26;G03F7/20;G03F7/004 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 周少杰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种曝光装置包括:曝光单元,其利用通过透镜系统聚焦的第一激光束,在包括扫描方向上安排的凹坑和平台的图案中,选择性地对抗蚀层执行曝光;检测单元,其检测通过透镜系统施加到选择性地曝光给第一激光束的抗蚀层的第二激光束的反射,通过改变透镜系统的焦距产生所述第二激光束,使得防止抗蚀层对第二激光束产生响应;计算单元,其从检测结果计算表示分别从具有最小宽度和较大宽度的图案的第一部分和第二部分反射的束的信号波形的中心轴之间的位移;设置单元,其设置透镜系统的焦距为这样的值,使得该位移最大;以及控制单元,其控制曝光单元以将抗蚀层曝光给利用由设置单元设置的焦距聚焦的第一激光束。 | ||
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【主权项】:
一种曝光装置,包括:曝光单元,其利用通过透镜系统聚焦在抗蚀层上的第一激光束选择性地对基底上提供的抗蚀层执行曝光,所述抗蚀层要经历其中显影曝光给第一激光束的其曝光区域的微加工,在包括扫描方向上安排的凹坑和平台的图案中执行所述曝光;检测单元,其检测通过透镜系统施加到选择性地曝光给第一激光束的抗蚀层的第二激光束的反射,通过改变透镜系统的焦距产生所述第二激光束,使得防止抗蚀层对第二激光束产生响应;计算单元,其从通过检测单元的检测结果计算表示从具有最小宽度的图案的第一部分反射的束的信号波形的中心轴和表示从具有比第一部分的宽度大的宽度的图案的第二部分反射的束的信号波形的中心轴之间的位移;设置单元,其设置透镜系统的焦距为这样的值,使得对于焦距的每个改变通过计算单元计算的信号波形的中心轴之间的位移最大;以及控制单元,其控制曝光单元以将抗蚀层曝光给通过具有由设置单元设置的焦距的透镜系统聚焦在其上的第一激光束。
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