[发明专利]曝光装置和曝光方法无效

专利信息
申请号: 201110038765.0 申请日: 2011-02-16
公开(公告)号: CN102298943A 公开(公告)日: 2011-12-28
发明(设计)人: 斋藤昭也;铃木明俊;会田桐;林忍 申请(专利权)人: 索尼公司;索尼信息技术股份有限公司
主分类号: G11B7/26 分类号: G11B7/26;G03F7/20;G03F7/004
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 周少杰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 曝光 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种曝光装置,包括:

曝光单元,其利用通过透镜系统聚焦在抗蚀层上的第一激光束选择性地对基底上提供的抗蚀层执行曝光,所述抗蚀层要经历其中显影曝光给第一激光束的其曝光区域的微加工,在包括扫描方向上安排的凹坑和平台的图案中执行所述曝光;

检测单元,其检测通过透镜系统施加到选择性地曝光给第一激光束的抗蚀层的第二激光束的反射,通过改变透镜系统的焦距产生所述第二激光束,使得防止抗蚀层对第二激光束产生响应;

计算单元,其从通过检测单元的检测结果计算表示从具有最小宽度的图案的第一部分反射的束的信号波形的中心轴和表示从具有比第一部分的宽度大的宽度的图案的第二部分反射的束的信号波形的中心轴之间的位移;

设置单元,其设置透镜系统的焦距为这样的值,使得对于焦距的每个改变通过计算单元计算的信号波形的中心轴之间的位移最大;以及

控制单元,其控制曝光单元以将抗蚀层曝光给通过具有由设置单元设置的焦距的透镜系统聚焦在其上的第一激光束。

2.如权利要求1所述的曝光装置,

其中抗蚀层的曝光区域相对于其它区域被热变形。

3.如权利要求1所述的曝光装置,

其中抗蚀层包含缺陷过渡金属氧化物。

4.如权利要求1所述的曝光装置,

其中基底和抗蚀层组合形成母光盘,从所述母光盘将图案转印到光盘制造压模,该图案表示要记录在光盘上的信号;以及

其中计算单元计算表示从其中信号具有最小代码长度的图案的第一部分反射的束的信号波形的中心轴和表示从其中信号具有最大代码长度的图案的第二部分反射的束的信号波形的中心轴之间的位移的不对称值。

5.如权利要求4所述的曝光装置,

其中抗蚀层的曝光区域因为热变形而在厚度方向上扩展;

其中计算单元根据下面的表达式计算不对称值:

{(ILT+ILB)-(IST+ISB)}/{2×(ILT-ILB)}

其中IST和ISB分别代表表示从其中信号具有最小代码长度的图案的第一部分反射的束的信号波形的顶部和底部电平,并且ILT和ILB分别代表表示从其中信号具有最大代码长度的图案的第二部分反射的束的信号波形的顶部和底部电平;以及

其中设置单元设置第一激光束的焦距为这样的值,使得对于焦距的每个改变通过计算单元计算的不对称值最大。

6.一种曝光方法,包括以下步骤:

检测施加到基底上提供的抗蚀层的第二激光束的反射,设置所述第二激光束使得防止抗蚀层对第二激光束产生响应,所述抗蚀层要经历其中利用通过曝光装置的透镜系统聚焦的第一激光束对其选择性地执行曝光并且显影其曝光区域的微加工,在包括扫描方向上安排的凹坑和平台的图案中执行所述曝光;

从检测结果计算表示从具有最小宽度的图案的第一部分反射的束的信号波形的中心轴和表示从具有比第一部分的宽度大的宽度的图案的第二部分反射的束的信号波形的中心轴之间的位移;以及

通过设置透镜系统的焦距为这样的值,使得对于焦距的每个改变计算的信号波形的中心轴之间的位移最大,控制曝光装置以对抗蚀层执行曝光。

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