[发明专利]从坩埚中所含的熔体拉伸由硅组成的单晶的方法及由此制得的单晶有效
| 申请号： | 201110037562.X | 申请日： | 2011-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN102146583A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | E·格梅尔鲍尔;R·沃布赫纳;M·韦伯 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及用于从坩埚4中所含的熔体11拉伸由硅组成的单晶9的方法，其中单晶9在拉伸期间被挡热板2包围，挡热板的下端3与熔体11的表面具有距离h，气体在单晶9与挡热板2之间的区域内向下流动10，在挡热板2的下端3与熔体11之间向外流动，及接着在挡热板2以外的区域内又向上流动，其特征在于，挡热板2在其下端3的内径DHS比单晶9的直径DSC大至少55mm，而挡热板2在其下端3的径向宽度BHSU不大于单晶9的直径DSC的20％。还涉及由硅组成的单晶，其具有至少为100mm的直径及(100)或(111)的晶体取向，周期表第III或V主族的元素的掺杂剂浓度为1×1017至1×1020cm-3，氧浓度为4×1017至9×1017cm-3，其特征在于，在该单晶中直径至少为50μm的空隙的浓度不大于50m-3。 | ||
| 搜索关键词： | 坩埚 拉伸 组成 方法 由此 | ||
【主权项】：
用于从坩埚(4)中所含的熔体(11)拉伸由硅组成的单晶(9)的方法，其中单晶(9)在拉伸期间被挡热板(2)包围，挡热板的下端(3)与熔体(11)的表面具有距离(h)，其中气体在单晶(9)与挡热板(2)之间的区域内向下流动(10)，在挡热板(2)的下端(3)与熔体(11)之间向外流动，及接着在挡热板(2)以外的区域内又向上流动，其特征在于，挡热板(2)在其下端(3)的内径(DHS)比单晶(9)的直径(DSC)大至少55mm，而挡热板(2)在其下端(3)的径向宽度(BHSU)不大于单晶(9)的直径(DSC)的20％。
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