[发明专利]从坩埚中所含的熔体拉伸由硅组成的单晶的方法及由此制得的单晶

权利要求书

1.用于从坩埚(4)中所含的熔体(11)拉伸由硅组成的单晶(9)的方法，其中单晶(9)在拉伸期间被挡热板(2)包围，挡热板的下端(3)与熔体(11)的表面具有距离(h)，其中气体在单晶(9)与挡热板(2)之间的区域内向下流动(10)，在挡热板(2)的下端(3)与熔体(11)之间向外流动，及接着在挡热板(2)以外的区域内又向上流动，其特征在于，挡热板(2)在其下端(3)的内径(D_HS)比单晶(9)的直径(D_SC)大至少55mm，而挡热板(2)在其下端(3)的径向宽度(B_HSU)不大于单晶(9)的直径(D_SC)的20％。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于，单晶(9)、坩埚(4)和挡热板(2)设置在一个室中，而气体流量与所述室内的压力的比例在20至500(L/h)/mbar的范围内。

3.根据权利要求2的方法，其特征在于，气体流量在500至8000L/h的范围内。

4.根据权利要求2的方法，其特征在于，压力在10至80mbar的范围内。

5.根据权利要求1至4之一的方法，其特征在于，坩埚(4)和单晶(9)方向相反地旋转(15，16)，而坩埚(4)的转速为0.25至25rpm。

6.根据权利要求1至5之一的方法，其特征在于，挡热板(2)的下端(3)与熔体(11)之间的距离(h)在10至40mm的范围内。

7.根据权利要求1至6之一的方法，其特征在于，坩埚(4)的内径(D_TI)为单晶(9)的直径(D_SC)的2至4倍。

8.根据权利要求1至7之一的方法，其特征在于，在坩埚(4)的内侧的表面上涂覆有钡化合物。

9.由硅组成的单晶，其具有至少为100mm的直径及(100)或(111)的晶体取向，周期表第III或V主族的元素的掺杂剂浓度为1×10¹⁷至1×10²⁰cm^-3，氧浓度为4×10¹⁷至9×10¹⁷cm^-3，其特征在于，在该单晶中直径至少为50μm的空隙的浓度不大于50m^-3。