[发明专利]半导体组件的散热座的制作方法无效
| 申请号： | 201110037329.1 | 申请日： | 2011-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN102569100A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 苏炎坤;陈冠群;林俊良 | 申请（专利权）人： | 成功大学 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/58;H01L23/367;H01L33/64 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 闻卿 |
| 地址： | 中国台湾台南*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体组件的散热座的制作方法，包括以下步骤：形成一导电层覆盖在一暂时基板的表面上；利用至少一金属凸块将至少一半导体芯片接合于导电层，其中前述的至少一金属凸块介于至少一半导体芯片与导电层之间；形成一金属基板于导电层上，其中金属基板填满前述的至少一半导体芯片与导电层之间的间隙；移除前述的暂时基板。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 组件 散热 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体组件的散热座的制作方法，包括：形成一导电层覆盖在一暂时基板的一表面上；利用至少一金属凸块将至少一半导体芯片接合于该导电层，其中该至少一金属凸块介于该至少一半导体芯片与该导电层之间；形成一金属基板于该导电层上，其中该金属基板填满该至少一半导体芯片与该导电层之间的一间隙；以及移除该暂时基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
