[发明专利]半导体组件的散热座的制作方法

权利要求书

1.一种半导体组件的散热座的制作方法，包括：

形成一导电层覆盖在一暂时基板的一表面上；

利用至少一金属凸块将至少一半导体芯片接合于该导电层，其中该至少一金属凸块介于该至少一半导体芯片与该导电层之间；

形成一金属基板于该导电层上，其中该金属基板填满该至少一半导体芯片与该导电层之间的一间隙；以及

移除该暂时基板。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该至少一半导体芯片为一半导体光电组件，且于形成该金属基板的步骤与移除该暂时基板的步骤之间，该方法还包括：

形成一反射层于该金属基板上；以及

形成一透明保护层于该反射层上。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，形成该反射层的步骤包括利用一电镀方法或一无电电镀方法。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该导电层包括一金属层或一透明导电层，该金属层的材料包括金、铝、银与铂，该透明导电层的材料包括氧化铟锡。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该至少一半导体芯片的底部设有一金属黏着层。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，利用该至少一金属凸块将该至少一半导体芯片接合于该导电层的步骤包括利用一超音波热压接合方式。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，利用该至少一金属凸块将该至少一半导体芯片接合于该导电层的步骤包括利用一超音波且同时施加压力的一接合方式。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，利用该至少一金属凸块将该至少一半导体芯片接合于该导电层的步骤包括利用一热压接合方式。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，利用该至少一金属凸块将该至少一半导体芯片接合于该导电层的步骤包括：

将该至少一金属凸块与该至少一半导体芯片接合；以及

于该至少一金属凸块与该至少一半导体芯片接合后，将该至少一金属凸块接合在该导电层上。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，利用该至少一金属凸块将该至少一半导体芯片接合于该导电层的步骤包括：

将该至少一金属凸块接合在该导电层上；以及

于将该至少一金属凸块接合在该导电层上后，将该至少一半导体芯片接合在该至少一金属凸块上。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该至少一金属凸块包括一第一凸块与一第二凸块，且利用该至少一金属凸块将该至少一半导体芯片接合于该导电层的步骤包括：

将该第一凸块与该第二凸块分别接合在该至少一半导体芯片与该导电层上；以及

于将该第一凸块与该第二凸块分别接合在该至少一半导体芯片与该导电层上后，将该第一凸块接合在该第二凸块上。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成该金属基板的步骤包括利用一电镀方法或一无电电镀方法。