[发明专利]一种二次显影方法无效
| 申请号： | 201110037171.8 | 申请日： | 2011-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN102621828A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 钱志浩;燕丽林 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/30 | 分类号： | G03F7/30;G03F7/42 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李湘;高为 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种二次显影方法，属于半导体制造的光刻技术领域。该二次显影方法，用于对同一层已曝光的光刻胶进行湿法显影，其包括步骤：(1)在所述光刻胶上第一次涂覆显影液；(2)第一次浸润所述光刻胶以初步显影；(3)基本去除所述光刻胶表面的显影生成物和残余的所述显影液；(4)在所述光刻胶上第二次涂覆显影液；以及(5)第二次浸润所述光刻胶以全部显影。该显影方法成本低、显影效果好的优点，并不会整体增加显影时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二次 显影 方法 | ||
【主权项】：
一种二次显影方法，用于对同一层已曝光的光刻胶进行湿法显影，其特征在于，包括步骤：(1)在所述光刻胶上第一次涂覆显影液；(2)第一次浸润所述光刻胶以初步显影；(3)基本去除所述光刻胶表面的显影生成物和残余的所述显影液；(4)在所述光刻胶上第二次涂覆显影液；以及(5)第二次浸润所述光刻胶以全部显影。
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