[发明专利]一种二次显影方法无效
| 申请号： | 201110037171.8 | 申请日： | 2011-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN102621828A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 钱志浩;燕丽林 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/30 | 分类号： | G03F7/30;G03F7/42 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李湘;高为 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二次 显影 方法 | ||
1.一种二次显影方法，用于对同一层已曝光的光刻胶进行湿法显影，其特征在于，包括步骤：
(1)在所述光刻胶上第一次涂覆显影液；
(2)第一次浸润所述光刻胶以初步显影；
(3)基本去除所述光刻胶表面的显影生成物和残余的所述显影液；
(4)在所述光刻胶上第二次涂覆显影液；以及
(5)第二次浸润所述光刻胶以全部显影。
2.如权利要求1所述的二次显影方法，其特征在于，所述已曝光的光刻胶形成于硅片上，所述步骤(1)和(4)中，通过离心旋转的方式涂覆所述显影液。
3.如权利要求2所述的二次显影方法，其特征在于，所述步骤(1)和(4)中，所述离心旋转的速度逐步下降。
4.如权利要求3所述的二次显影方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述第一次涂覆的显影液喷涂与所述离心旋转同步进行，所述离心旋转的时间长于所述第一次涂覆显影液的显影液喷涂时间。
5.如权利要求3所述的二次显影方法，其特征在于，所述步骤(4)中，所述第二次涂覆显影液的显影液喷涂与所述离心旋转同步进行，所述离心旋转的时间长于所述第二次涂覆显影液的显影液喷涂时间。
6.如权利要求3所述的二次显影方法，其特征在于，所述步骤(1)中，初始的所述离心旋转的速度范围为100-200转/分钟；所述步骤(4)中，初始的所述离心旋转的速度范围为80-150转/分钟、并且其小于步骤(1)中的初始的所述离心旋转的速度。
7.如权利要求1所述的二次显影方法，其特征在于，所述第二次涂覆的涂覆时间短于所述第一次涂覆的涂覆时间。
8.如权利要求1所述的二次显影方法，其特征在于，所述第二次涂覆显影液的量少于所述第一次涂覆显影液的量。
9.如权利要求1所述的二次显影方法，其特征在于，所述第二次浸润的时间短于所述第一次浸润的时间。
10.如权利要求1所述的二次显影方法，其特征在于，所述方法用于使用流式喷嘴或喷洒式喷嘴的低端显影设备中。
11.如权利要求1至10任一所述的二次显影方法，其特征在于，所述步骤(3)中，通过离心旋转方式去除所述光刻胶表面的显影生成物和残余的所述显影液。
12.如权利要求1至10任一所述的二次显影方法，其特征在于，还包括在所述步骤(1)之前的步骤：
(a1)去离子水清洗步骤；
并且还包括在所述步骤(5)之后的步骤：
(5a)去离子水清洗步骤。
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