[发明专利]一种多层纳米线的制备方法有效
申请号: | 201110037016.6 | 申请日: | 2011-02-12 |
公开(公告)号: | CN102637765A | 公开(公告)日: | 2012-08-15 |
发明(设计)人: | 蔡克峰;李晓龙;邹志刚 | 申请(专利权)人: | 同济大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L35/34;B82Y40/00 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 林君如 |
地址: | 200092 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种多层纳米线的制备方法,将铋的无机盐、二氧化硒、二氧化碲及硝酸按一定比例加入盛有去离子水的烧杯中,搅拌使其充分溶解得到混合溶液,通过脉冲电位沉积将多层纳米线沉积到氧化铝模板上,洗涤后再经过热处理及模板溶解过程分离得到多层纳米线。与现有技术相比,本发明使用的原料便宜易得,工艺简单,工艺过程中没有使用有毒有害的有机溶剂,对环境友好,容易实现规模化生产,所制备的产品广泛应用于能源转换领域,如光电转换领域、热电转换领域等。 | ||
搜索关键词: | 一种 多层 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种多层纳米线的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:(1)配料:将铋的无机盐、二氧化硒、二氧化碲及硝酸按比例加入盛有去离子水的烧杯中,搅拌使其充分溶解得到混合溶液;(2)电化学沉积:在室温下,对步骤(1)得到的混合溶液进行循环伏安测试,通过脉冲电位沉积将多层纳米线沉积到氧化铝模板上;(3)洗涤:利用去离子水冲洗沉积了多层纳米线的氧化铝模板,然后自然晾干;(4)热处理:将沉积多层纳米线的氧化铝模板放入石英管式炉,在氩气保护下300℃保温3小时,然后自然降温至室温;(5)模板溶解:把经过热处理的氧化铝模板放入5M的氢氧化钠碱液中,放置8小时,洗涤后离心分离出多层纳米线即可。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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