[发明专利]薄膜太阳能电池用高纯钼靶的制备方法

摘要

本发明目的是提供一种薄膜太阳能电池用高纯钼靶制备方法，以提高太阳能电池的质量。工艺流程为：原料钼酸铵→焙烧制备Mo3→通入高纯氢气在温度450-600℃一次还原成Mo2→再次通入高纯氢气在温度为950-1050℃二次还原成Mo→混料→筛分→等静压成型→经过多次充放高纯氢气后中频感应炉烧结，烧结温度1950-2000℃→大功率电子束熔炼提纯→1400-1450℃锻造→1350-1450℃热轧→900-1000℃热处理退火→机械加工→超声波清洗→钎焊靶托→性能测试及检验。本发明优点是薄膜太阳能电池用高纯钼靶具有高纯度、高密度和良好的均匀性的特点，极大提高了溅射靶材的利用率，应用于太阳能电池行业具有很高的价值。

主权项

薄膜太阳能电池用高纯度钼靶制备方法，其特征是按照如下流程实施：原料钼酸铵→焙烧制备Mo3→通入高纯氢气在温度450‑600℃一次还原成Mo2→再次通入高纯氢气在温度为950‑1050℃二次还原成Mo→混料→筛分→等静压成型→经过多次充放高纯氢气后中频感应炉烧结，烧结温度1950‑2000℃→大功率电子束熔炼提纯→1400‑1450℃锻造→1350‑1450℃热轧→900‑1000℃热处理退火→机械加工→超声波清洗→钎焊靶托→性能测试及检验。