[发明专利]薄膜太阳能电池用高纯钼靶的制备方法

权利要求书

1.薄膜太阳能电池用高纯度钼靶制备方法，其特征是按照如下流程实施：

原料钼酸铵→焙烧制备Mo₃→通入高纯氢气在温度450-600℃一次还原成Mo₂→再次通入高纯氢气在温度为950-1050℃二次还原成Mo→混料→筛分→等静压成型→经过多次充放高纯氢气后中频感应炉烧结，烧结温度1950-2000℃→大功率电子束熔炼提纯→1400-1450℃锻造→1350-1450℃热轧→900-1000℃热处理退火→机械加工→超声波清洗→钎焊靶托→性能测试及检验。

2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池用高纯度钼靶制备方法，其特征是焙烧制备Mo₃时温度控制在500-600℃，同时物料通过焙烧炉流量按照不超过100公斤/1小时通过量。

3.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池用高纯度钼靶制备方法，其特征是大功率电子束熔炼提纯时功率不小于1200KW。

4.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池用高纯度钼靶制备方法，其特征是中频感应烧结时，采用至少三次充氢气，三次抽真空的方法，提高钼坯纯度

5.根据权利要求1或3所述的薄膜太阳能电池用高纯度钼靶制备方法，其特征是大功率电子束熔炼提纯时熔炼温度不低于3000℃，炉内真空度10^-5Pa以上。

6.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池用高纯度钼靶制备方法，其特征是热轧时采用功率为1250KW以上的不低于2000吨压力的轧机，且在轧制时，每道次压下量大于30％-50％的大变形量热轧。