[发明专利]金属布线、薄膜制造方法、TFT阵列面板及其制造方法有效
| 申请号： | 201110034991.1 | 申请日： | 2011-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN102191467A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 金柄范;朴帝亨;尹在亨;宋溱镐;金钟仁 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/18;H01L23/532;H01L29/786;H01L29/45;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 郭鸿禧;罗延红 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及金属布线、薄膜制造方法、TFT阵列面板及其制造方法。一种根据本发明示例性实施例的形成薄膜的方法包括以范围在大约1.5W/cm2至大约3W/cm2的功率密度以及以范围在大约0.2Pa至大约0.3Pa的惰性气体的压力形成薄膜。即使当该阻挡层比许多传统的阻挡层薄时，该工艺也获得了防止不期望的来自相邻层的扩散的非晶金属薄膜阻挡层。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 布线 薄膜 制造 方法 tft 阵列 面板 及其 | ||
【主权项】：
一种通过溅射在基底上形成薄膜的方法，所述方法包括：以范围在1.5W/cm2至3W/cm2的功率密度以及以范围在0.2Pa至0.3Pa的惰性气体的压力形成薄膜。
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