[发明专利]金属布线、薄膜制造方法、TFT阵列面板及其制造方法

权利要求书

1.一种通过溅射在基底上形成薄膜的方法，所述方法包括：

以范围在1.5W/cm²至3W/cm²的功率密度以及以范围在0.2Pa至0.3Pa的惰性气体的压力形成薄膜。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述薄膜具有非晶结构。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述薄膜包含钛、钽和钼中的至少一种。

4.如权利要求2所述的方法，其中，所述薄膜的表面粗糙度小于0.55nm。

5.如权利要求2所述的方法，其中，所述惰性气体是氩气或者氦气。

6.一种用于显示面板的金属布线，所述金属布线包括：

硅层，形成在基底上；

阻挡层，形成在硅层上；

铜布线，形成在阻挡层上，

其中，阻挡层包含具有非晶结构的金属，

并且所述金属包含钛、钽和钼中的至少一种。

7.如权利要求6所述的金属布线，其中，所述基底是玻璃基底。

8.如权利要求6所述的金属布线，其中，所述阻挡层的表面粗糙度小于0.55nm。

9.如权利要求6所述的金属布线，其中，所述阻挡层的应力的幅值小于-1.19×10⁸达因/cm²。

10.一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，所述方法包括：

在绝缘基底上形成栅电极；

在栅电极上形成栅极绝缘层；

在栅极绝缘层上形成半导体；

在半导体上形成欧姆接触层；

在欧姆接触层上形成数据线和漏电极中的至少一种，所述数据线和漏电极的至少一种包括非晶阻挡层和形成在非晶阻挡层上的铜层；

在数据线和漏电极中的至少一种上形成钝化层；

在钝化层上形成像素电极，其中，像素电极连接到漏电极。

11.如权利要求10所述的方法，其中，形成数据线和漏电极中的至少一种的步骤还包括通过溅射工艺形成阻挡层，以范围在1.5W/cm²至3W/cm²的功率密度以及以范围在0.2Pa至0.3Pa的惰性气体的压力执行溅射。

12.如权利要求10所述的方法，其中，所述阻挡层包含钛、钽和钼中的至少一种。

13.如权利要求10所述的方法，其中，所述阻挡层的表面粗糙度小于0.55nm。

14.如权利要求10所述的方法，其中，使用一种感光膜图案形成欧姆接触层、半导体、数据线和漏电极。

15.一种薄膜晶体管阵列面板，所述薄膜晶体管阵列面板包括：

栅极线，形成在基底上；

数据线，与栅极线交叉；

薄膜晶体管，连接到栅极线并具有连接到数据线的漏电极；

像素电极，连接到薄膜晶体管，

其中，数据线和薄膜晶体管的漏电极包含非晶阻挡层和铜层。

16.如权利要求15所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述非晶阻挡层的表面粗糙度小于0.55nm。

17.如权利要求15所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述非晶阻挡层的应力的幅值小于-1.19×10⁸达因/cm²。

18.如权利要求17所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，非晶阻挡层具有小于的厚度。

19.如权利要求15所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，非晶阻挡层包含钛、钽和钼中的至少一种。