[发明专利]形成包含非晶碳膜的层叠构造的方法和装置有效
| 申请号： | 201110034604.4 | 申请日： | 2011-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN102168255A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 冈田充弘;东条行雄 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/26 | 分类号： | C23C16/26;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/32;C23C16/44;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成包含非晶碳膜的层叠构造的方法。该方法在基底层上形成包含非晶碳膜的层叠构造，其中，包括以下工序：向上述基底层上供给有机系硅气体，在上述基底层的表面形成包含Si-C键的初始层；向在表面形成有上述初始层的上述基底层上供给包含碳氢化合物气体的成膜气体，在上述基底层上利用热成膜形成上述非晶碳膜。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 包含 非晶碳膜 层叠 构造 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种形成包含非晶碳膜的层叠构造的方法，该方法在基底层上形成包含非晶碳膜的层叠构造，其中，包括以下工序：在上述基底层的表面形成包含Si‑C键的初始层，在此，向上述基底层上供给有机系硅气体；在表面形成有上述初始层的上述基底层上利用热成膜形成上述非晶碳膜，在此，向上述基底层上供给包含碳氢化合物气体的成膜气体。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
