[发明专利]形成包含非晶碳膜的层叠构造的方法和装置

权利要求书

1.一种形成包含非晶碳膜的层叠构造的方法，该方法在基底层上形成包含非晶碳膜的层叠构造，其中，

包括以下工序：

在上述基底层的表面形成包含Si-C键的初始层，在此，向上述基底层上供给有机系硅气体；

在表面形成有上述初始层的上述基底层上利用热成膜形成上述非晶碳膜，在此，向上述基底层上供给包含碳氢化合物气体的成膜气体。

2.根据权利要求1所述的形成包含非晶碳膜的层叠构造的方法，其中，

上述基底层是包含硅的层。

3.根据权利要求1所述的形成包含非晶碳膜的层叠构造的方法，其中，

上述基底层是SiO₂层。

4.根据权利要求1所述的形成包含非晶碳膜的层叠构造的方法，其中，

上述有机系硅气体是胺系硅气体。

5.根据权利要求4所述的形成包含非晶碳膜的层叠构造的方法，其中，

上述胺系硅气体选自由丁氨基硅烷、双叔丁氨基硅烷、二甲氨基硅烷、双(二甲氨基)硅烷、三(二甲氨基)硅烷、二乙氨基硅烷、双(二乙氨基)硅烷、二丙氨基硅烷、二异丙基氨基硅烷组成的组中。

6.根据权利要求1所述的形成包含非晶碳膜的层叠构造的方法，其中，

上述碳氢化合物气体从由CH₄、C₂H₂、C₂H₄、C₂H₆、C₄H₆构成的组中选择。

7.根据权利要求1所述的形成包含非晶碳膜的层叠构造的方法，其中，

形成上述初始层的工序使用处理温度20～750℃和处理压力0.05～50Torr，形成上述非晶碳膜的工序使用处理温度300～1000℃和处理压力1～650Torr。

8.根据权利要求1所述的形成包含非晶碳膜的层叠构造的方法，其中，

在形成上述非晶碳膜的工序之后，上述方法还包括以下工序：

在上述非晶碳膜的表面形成包含Si-C键的中间层，在此，向上述非晶碳膜上供给上述有机系硅气体；

利用热成膜在表面形成有上述中间层的上述非晶碳膜上形成规定厚度的包含氮化硅的阻挡层膜，在此，交替地反复进行多次向上述非晶碳膜上供给包含氮的反应气体和向上述非晶碳膜上供给上述有机系硅气体；

在上述阻挡层膜上形成在上述层叠构造中被配置在上述非晶碳膜的上方的包含硅的上部膜。

9.根据权利要求8所述的形成包含非晶碳膜的层叠构造的方法，其中，

上述上部膜是SiO₂膜。

10.根据权利要求8所述的形成包含非晶碳膜的层叠构造的方法，其中，

上述反应气体是NH₃气体。

11.根据权利要求8所述的形成包含非晶碳膜的层叠构造的方法，其中，

利用CVD形成上述上部膜。

12.根据权利要求8所述的形成包含非晶碳膜的层叠构造的方法，其中，

在形成上述中间层的工序及形成上述阻挡层膜的工序中，在处理温度20～750℃和处理压力0.05～50Torr的条件下进行供给上述有机系硅气体的工序，在处理温度20～750℃和处理压力0.05～750Torr的条件下进行供给上述反应气体的工序。

13.根据权利要求1所述的形成包含非晶碳膜的层叠构造的方法，其中，

在形成上述非晶碳膜的工序之后，上述方法还包括以下工序：

在上述非晶碳膜的表面形成包含Si-C键的中间层，在此，向上述非晶碳膜上供给上述有机系硅气体；

利用热成膜在表面形成有上述中间层的上述非晶碳膜上形成规定厚度的包含碳化硅的阻挡层膜，在此，交替地反复进行多次向上述非晶碳膜上供给包含碳的反应气体和向上述非晶碳膜上供给上述有机系硅气体；

在上述阻挡层膜上形成在上述层叠构造中被配置在上述非晶碳膜的上方的包含硅的上部膜。

14.根据权利要求13所述的形成包含非晶碳膜的层叠构造的方法，其中，

上述上部膜是SiO₂膜。