[发明专利]开关器件和包括所述开关器件的存储器件有效
申请号: | 201110033520.9 | 申请日: | 2011-01-31 |
公开(公告)号: | CN102412309A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
发明(设计)人: | 黄允泽;李宰渊 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | H01L29/92 | 分类号: | H01L29/92;H01L27/24 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 郭放;张文 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种开关器件,包括:第一电极、双极性隧道层和第二电极。双极性隧道层形成在第一电极上并且包括多个具有不同介电常数的电介质层。第二电极形成在双极性隧道层上。 | ||
搜索关键词: | 开关 器件 包括 存储 | ||
【主权项】:
一种开关器件,包括:第一电极;双极性隧道层,所述双极性隧道层形成在所述第一电极上并且包括具有不同介电常数的多个电介质层;以及第二电极,所述第二电极形成在所述双极性隧道层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司,未经海力士半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110033520.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:薄膜光伏器件中作为背接触的各向异性传导层
- 下一篇:表面氧化抗穴蚀处理方法
- 同类专利
- 专利分类