[发明专利]开关器件和包括所述开关器件的存储器件

权利要求书

1.一种开关器件，包括：

第一电极；

双极性隧道层，所述双极性隧道层形成在所述第一电极上并且包括具有不同介电常数的多个电介质层；以及

第二电极，所述第二电极形成在所述双极性隧道层上。

2.如权利要求1所述的开关器件，其中，所述多个电介质层包括顺序层叠的第一电介质层、第二电介质层和第三电介质层。

3.如权利要求2所述的开关器件，其中，所述第二电介质层具有比所述第一电介质层和所述第三电介质层高的介电常数。

4.如权利要求2所述的开关器件，其中，所述第一电介质层和所述第三电介质层由相同的材料形成。

5.如权利要求2所述的开关器件，其中，所述第一电介质层和所述第三电介质层每个都具有比所述第二电介质层大的厚度。

6.如权利要求2所述的开关器件，其中，所述第一电介质层、所述第二电介质层和所述第三电介质层包括选自氧化铝层、氮化硅层、氧化铪层、氧化锆层、氧化钛层和氧化钽层中的至少一种。

7.如权利要求6所述的开关器件，其中，所述第一电介质层和所述第三电介质层每个都包括选自氧化铝层、氮化硅层、氧化铪层和氧化锆层中的至少一种，所述第二电介质层包括氧化钛层或/和氧化钽层。

8.如权利要求1所述的开关器件，其中，所述多个电介质层包括顺序层叠的第一电介质层和第二电介质层。

9.如权利要求8所述的开关器件，其中，所述第一电介质层和所述第二电介质层具有不同的厚度。

10.如权利要求8所述的开关器件，其中，所述第一电介质层和所述第二电介质层包括选自氧化铝层、氮化硅层、氧化铪层、氧化锆层、氧化钛层和氧化钽层中的至少一种。

11.一种存储器件，包括：

彼此交叉的多个导线；以及

存储器单元，所述存储器单元形成在所述导线的交叉处并处在所述导线之间，并且所述存储器单元具有彼此串联的开关单元和存储单元，

其中，所述开关单元包括双极性隧道层，所述双极性隧道层具有多个电介质层，所述多个电介质层分别具有不同的介电常数。

12.如权利要求11所述的存储器件，其中，所述开关单元还包括第一电极和第二电极，所述双极性隧道层夹在所述第一电极与所述第二电极之间。

13.如权利要求12所述的存储器件，其中，所述存储单元包括：

第三电极，所述第三电极与所述开关单元的所述第一电极和所述第二电极中的一个相连接；

可变电阻层，所述可变电阻层与所述第三电极相连接；以及

第四电极，所述第四电极与所述可变电阻层相连接。

14.如权利要求13所述的存储器件，其中，所述第一电极和所述第二电极中的所述一个与所述第三电极由相同的材料形成以彼此代替。

15.如权利要求13所述的存储器件，其中，所述存储单元包括具有根据施加到所述第三电极和所述第四电极的电压或电流而变化的电阻的材料。

16.如权利要求11所述的存储器件，其中，所述多个电介质层包括顺序层叠的第一电介质层、第二电介质层和第三电介质层。

17.如权利要求16所述的存储器件，其中，所述第二电介质层具有比所述第一电介质层和所述第三电介质层高的介电常数。

18.如权利要求16所述的存储器件，其中，所述第一电介质层和所述第三电介质层由相同的材料形成。

19.如权利要求16所述的存储器件，其中，所述第一电介质层和所述第三电介质层具有比所述第二电介质层大的厚度。

20.如权利要求16所述的存储器件，其中，所述第一电介质层和所述第三电介质层包括选自氧化铝层、氮化硅层、氧化铪层和氧化锆层中的至少一种，所述第二电介质层包括氧化钛层或/和氧化钽层。

21.如权利要求11所述的存储器件，其中，所述多个电介质层包括顺序层叠的第一电介质层和第二电介质层。