[发明专利]一种阻挡层及其制备方法有效
| 申请号： | 201110033156.6 | 申请日： | 2011-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN102623435A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 王文东;夏洋;李超波;李勇滔;刘邦武;刘训春 | 申请（专利权）人： | 北京泰龙电子技术有限公司;中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件中阻挡层技术领域，具体涉及一种具有多层膜结构的阻挡层及其制备方法。该阻挡层包括TaSiN层，位于TaSiN层上的TaN层，以及位于TaN层上的Ta层。该阻挡层的制备方法，包括如下步骤：采用物理气相沉积方法依次沉积TaSi层、Ta层；将TaSi层、Ta层置于浸没式等离子注入机中注入N生成TaSiN层、TaN层；用物理气相沉积方法在TaN层上沉积Ta层。本发明提供的多层膜结构的阻挡层更加致密，其中的TaSiN/TaN层为非晶结构，不存在晶界这样的可供快速扩散的通道，是理想的阻挡层结构，保证其热稳定性更好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阻挡 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种阻挡层，其特征在于：包括TaSiN层，位于TaSiN层上的TaN层，以及位于TaN层上的Ta层。
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