[发明专利]一种阻挡层及其制备方法有效
| 申请号： | 201110033156.6 | 申请日： | 2011-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN102623435A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 王文东;夏洋;李超波;李勇滔;刘邦武;刘训春 | 申请（专利权）人： | 北京泰龙电子技术有限公司;中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阻挡 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种阻挡层，其特征在于：包括TaSiN层，位于TaSiN层上的TaN层，以及位于TaN层上的Ta层。
2.如权利要求1所述的阻挡层，其特征在于：所述TaSiN层为非晶结构，厚度为4-40nm。
3.如权利要求1所述的阻挡层，其特征在于：所述TaN层为非晶结构，厚度为4-40nm。
4.如权利要求1所述的阻挡层，其特征在于：所述Ta层为多晶结构，厚度为4-40nm。
5.一种阻挡层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
采用物理气相沉积方法依次沉积TaSi层、Ta层；
将TaSi层、Ta层置于等离子注入机中注入N生成TaSiN层、TaN层；
用物理气相沉积方法在TaN层上沉积Ta层。
6.如权利要求5所述的阻挡层的制备方法，其特征在于：所述物理气相沉积方法为磁控溅射方法。
7.如权利要求5所述的阻挡层的制备方法，其特征在于：所述等离子注入机使用的等离子注入方法为浸没式等离子注入。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京泰龙电子技术有限公司;中国科学院微电子研究所，未经北京泰龙电子技术有限公司;中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110033156.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
