[发明专利]梯形场氧化层的制作方法无效
| 申请号： | 201110032429.5 | 申请日： | 2011-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN102157374A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 苟鸿雁 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的梯形场氧化层的制作方法包括以下步骤：在衬基的上表面形成一场氧化层；在所述场氧化层的上表面形成一牺牲层；选择性的掩蔽和刻蚀所述场氧化层和牺牲层，在所述场氧化层和牺牲层内定义有源区和终端保护区；选择性刻蚀掉所述终端保护区内的部分所述牺牲层和场氧化层，其中，刻蚀过程中采用的刻蚀剂刻蚀所述牺牲层的速率大于刻蚀所述场氧化层的速率，使保留下的场氧化层的两个侧壁均为斜面；去除剩余的所述牺牲层。本发明的梯形场氧化层的制作方法能有效改善击穿电压，缩小器件尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 梯形 氧化 制作方法 | ||
【主权项】：
一种梯形场氧化层的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬基的上表面形成一场氧化层；在所述场氧化层的上表面形成一牺牲层；选择性的掩蔽和刻蚀所述场氧化层和牺牲层，在所述场氧化层和牺牲层内定义有源区和终端保护区；选择性刻蚀掉所述终端保护区内的部分所述牺牲层和场氧化层，其中，刻蚀过程中采用的刻蚀剂刻蚀所述牺牲层的速率大于刻蚀所述场氧化层的速率，使保留下的场氧化层的两个侧壁均为斜面；去除剩余的所述牺牲层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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