[发明专利]梯形场氧化层的制作方法

权利要求书

1.一种梯形场氧化层的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

在衬基的上表面形成一场氧化层；

在所述场氧化层的上表面形成一牺牲层；

选择性的掩蔽和刻蚀所述场氧化层和牺牲层，在所述场氧化层和牺牲层内定义有源区和终端保护区；

选择性刻蚀掉所述终端保护区内的部分所述牺牲层和场氧化层，其中，刻蚀过程中采用的刻蚀剂刻蚀所述牺牲层的速率大于刻蚀所述场氧化层的速率，使保留下的场氧化层的两个侧壁均为斜面；

去除剩余的所述牺牲层。

2.如权利要求1所述的梯形场氧化层的制作方法，其特征在于，采用热氧化方法在所述衬基的上表面生长场氧化层。

3.如权利要求1所述的梯形场氧化层的制作方法，其特征在于，采用湿法刻蚀法选择性刻蚀掉部分所述牺牲层和场氧化层。

4.如权利要求1所述的梯形场氧化层的制作方法，其特征在于，所述牺牲层的材料和刻蚀剂的选择由所述侧壁所需达到的倾斜度决定，满足Slope＝R_oxide/R_sacrificial，其中，Slope表示所述侧壁所需达到的倾斜度，R_oxide表示所述场氧化层的刻蚀速率，R_sacrificial表示所述牺牲层的刻蚀速率。

5.如权利要求1所述的梯形场氧化层的制作方法，其特征在于，所述牺牲层为未经退火处理的磷硅玻璃层、经退火处理的磷硅玻璃层、采用等离子体增强化学气相淀积法淀积的且未经退火处理的氧化层或者未掺杂的多晶硅层。

6.如权利要求1所述的梯形场氧化层的制作方法，其特征在于，所述刻蚀剂为5份NH₄F与1份HF的混合物(体积比)、10份H₂O与1份HF的混合物(体积比)、126份HNO₃与60份H₂O及5份NH₄F的混合物(体积比)、25份H₂O与1份HF的混合物(体积比)，或者20份H₂O与1份H₂O₂及1份HF的混合物(体积比)。