[发明专利]一种电子束高效、连续熔炼提纯多晶硅的方法及设备有效
| 申请号： | 201110031569.0 | 申请日： | 2011-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN102120579A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 谭毅;姜大川;邹瑞洵;顾正;战丽姝 | 申请（专利权）人： | 大连隆田科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 大连星海专利事务所 21208 | 代理人： | 于忠晶 |
| 地址： | 116025 辽宁省大连*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束高效、连续熔炼提纯多晶硅的方法，先通过电子束在坩埚中形成稳定的高纯硅熔池，然后将需提纯硅粉通过进料真空闸室连续落入熔池，快速熔化后熔炼，从而去除硅粉中的杂质磷，得到的低磷硅液周期性地从坩埚中溢出，在水冷倾斜铜槽中形成硅块，并落入收集筒中冷却，最后通过出料真空闸室连续出料，完成连续提纯多晶硅的工艺过程。本发明采取连续加料和连续出料的熔炼方式，采用电子束熔炼多晶硅可去除饱和蒸汽压高的挥发性杂质磷，达到高效、连续熔炼除杂的目的，纯度达到了太阳能级硅的使用要求，技术稳定，能耗小，成本低，生产效率高，适合大规模工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子束 高效 连续 熔炼 提纯 多晶 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种电子束高效、连续熔炼提纯多晶硅的方法，其特征是：先通过电子束在坩埚中形成稳定的高纯硅熔池，然后将需提纯硅粉通过进料真空闸室连续落入熔池，快速熔化后熔炼，从而去除硅粉中的杂质磷，得到的低磷硅液周期性地从坩埚中溢出，在水冷倾斜铜槽中形成硅块，并落入收集筒中冷却，最后通过出料真空闸室连续出料，完成连续提纯多晶硅的工艺过程。
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