[发明专利]氮化物基半导体发光元件和封装中安装该元件的发光器件无效
| 申请号： | 201110030737.4 | 申请日： | 2011-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN102170089A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 笹冈千秋 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物基半导体发光元件和封装中安装该元件的发光器件。为了抑制杂质附着到半导体发光元件，提供一种氮化物基半导体发光元件，包括：层压体，所述层压体具有第一包覆层、第一包覆层上方形成的有源层以及在该有源层上方形成的第二包覆层；以及电介质膜，所述电介质膜具有3μm或更大厚度，所述电介质膜被形成在发射光侧上的层压体的侧表面上，并且至少覆盖有源层的第一侧表面。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 封装 安装 器件 | ||
【主权项】：
一种氮化物基半导体发光元件，包括：层压体，所述层压体包括第一包覆层、在所述第一包覆层上方形成的有源层和在所述有源层上方形成的第二包覆层；以及具有3μm或更大厚度的电介质膜，所述电介质膜被形成在所述层压体的发射光的一侧的侧表面上，并且至少覆盖所述有源层的第一侧表面。
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