[发明专利]氮化物基半导体发光元件和封装中安装该元件的发光器件

权利要求书

1.一种氮化物基半导体发光元件，包括：

层压体，所述层压体包括第一包覆层、在所述第一包覆层上方形成的有源层和在所述有源层上方形成的第二包覆层；以及

具有3μm或更大厚度的电介质膜，所述电介质膜被形成在所述层压体的发射光的一侧的侧表面上，并且至少覆盖所述有源层的第一侧表面。

2.根据权利要求1所述的氮化物基半导体发光元件，

其中，假设在大致垂直于所述有源层的方向上，从所述有源层的所述第一侧表面的上侧到所述电介质膜的所述侧表面的顶部的距离为h，以及在大致垂直于所述有源层的方向上，从所述有源层的所述第一侧表面辐射的光的辐射角度为θ_v，那么所述电介质膜的厚度小于或等于h·cot(θ_V/2)。

3.根据权利要求1所述的氮化物基半导体发光元件，

其中，所述电介质膜是：由Al₂O₃、SiO₂、TiO₂、ZrO₂、Ta₂O₅、Nb₂O₅、MgF₂、CaF₂、AlN、Si₃N₄以及硅树脂中的任何一种构成的膜；或组合两种或多种上述膜的多层膜。

4.一种发光器件，在所述发光器件中封装了根据权利要求1所述的氮化物基半导体发光元件。

5.根据权利要求4所述的发光器件，其中，所述氮化物基半导体发光元件被安装在框架封装中。