[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201110030644.1 | 申请日： | 2008-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN102157566A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;须沢英臣;笹川慎也;仓田求 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417;H01L27/12;H01L23/522 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 岳耀锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，当形成接触孔时容易进行蚀刻控制。本发明的半导体装置至少包括：形成在绝缘表面上的半导体层；形成在半导体层上的第一绝缘层；形成在第一绝缘层上的栅电极；以及形成在栅电极上的第二绝缘层，其中，至少在半导体层及第二绝缘层中形成有开口部而露出绝缘表面的一部分，并且，还包括通过该开口部且形成在第二绝缘层上的导电层。这里的导电层在形成于半导体层中的开口的侧面处与半导体层电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：形成在绝缘表面上的半导体层；形成在所述半导体层上的第一绝缘层；形成在所述第一绝缘层上的栅电极；形成在所述栅电极上的第二绝缘层；以及形成在所述第二绝缘层上的导电层，其中，所述导电层连接到所述半导体层的侧表面。
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