[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201110030644.1 | 申请日： | 2008-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN102157566A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;须沢英臣;笹川慎也;仓田求 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417;H01L27/12;H01L23/522 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 岳耀锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，包括：
形成在绝缘表面上的半导体层；
形成在所述半导体层上的第一绝缘层；
形成在所述第一绝缘层上的栅电极；
形成在所述栅电极上的第二绝缘层；以及
形成在所述第二绝缘层上的导电层，
其中，所述导电层连接到所述半导体层的侧表面。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体层是单晶硅层。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体层包括硅化物区。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体层的厚度为10nm至200nm。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述导电层包括钨。
6.一种半导体装置，包括：
形成在绝缘表面上的半导体层；
形成在所述半导体层上的第一绝缘层；
形成在所述第一绝缘层上的栅电极；
形成在所述栅电极上的第二绝缘层；以及
形成在所述第二绝缘层上的导电层，
其中，所述导电层连接到所述半导体层的侧表面和所述半导体层的上表面。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述半导体层是单晶硅层。
8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述半导体层包括硅化物区。
9.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述半导体层的厚度为10nm至200nm。
10.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述导电层包括钨。
11.一种半导体装置，包括：
形成在绝缘表面上的半导体层；
形成在所述半导体层上的第一绝缘层；
形成在所述第一绝缘层上的栅电极；
形成在所述栅电极上的第二绝缘层，所述第二绝缘层具有接触孔；以及
形成在所述第二绝缘层上的导电层，
其中，所述导电层经由所述接触孔连接到所述半导体层的侧表面和所述半导体层的上表面。
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述半导体层是单晶硅层。
13.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述半导体层包括硅化物区。
14.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述半导体层的厚度为10nm至200nm。
15.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述导电层包括钨。
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