[发明专利]用于电光调制器的波导电容器有效
申请号: | 201110028768.6 | 申请日: | 2008-08-20 |
公开(公告)号: | CN102087425A | 公开(公告)日: | 2011-06-08 |
发明(设计)人: | 李冰 | 申请(专利权)人: | 李冰 |
主分类号: | G02F1/025 | 分类号: | G02F1/025 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 200433 上海市杨*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种用于电光调制器的波导电容器,包括脊波导,所述脊波导的波导脊上刻蚀有槽型结构,并在其上加载半导体材料,所加载的半导体材料和脊波导之间有绝缘层隔离,所加载半导体材料填充至所刻蚀的槽中,其中所述加载后的波导仍保持脊波导的形状,形成封盖式波导电容;所述绝缘层上直接加载半导体材料;所述脊波导的波导脊上刻蚀有纵向槽或周期性分布的横向槽结构,所述纵向槽使波导脊形成双脊结构,所述横向槽的间隔周期略短于光波长的二分之一。本发明与现有技术相比,脊波导的波导脊上刻蚀有槽型结构,提高了单位波导导模模斑横截面所携带的电容值,同时,波导导模的有效模斑尺寸比现有的波导电容小,对光的限制因子大,有利于提高调制器的效率。 | ||
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【主权项】:
一种用于电光调制器的波导电容器,包括脊波导,所述脊波导的波导脊上刻蚀有槽型结构,并在其上加载半导体材料,所加载的半导体材料和脊波导之间有绝缘层隔离,所加载半导体材料填充至所刻蚀的槽中,其特征在于:所述绝缘层上直接加载半导体材料;所述加载后的波导仍保持脊波导的形状,形成封盖式波导电容;所述脊波导的波导脊上刻蚀纵向槽形成一个双脊结构。
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