[发明专利]一种半导体存储器件的复位方法有效
| 申请号： | 201110028102.0 | 申请日： | 2011-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN102623059A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 冀永辉;丁川;王凤虎;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C16/20 | 分类号： | G11C16/20 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体存储器件的复位方法，属于存储器技术领域。所述方法包括：对半导体存储器件进行擦除操作，将所述半导体存储器件的阈值电压降低至预设电压Vref以下；执行第一轮软编程操作，将所述半导体存储器件的阈值电压调整至（Vref-0.5，Vref）范围内；执行第二轮软编程操作，将所述半导体存储器件的阈值电压调整至（Vref-0.5，Vref+0.05）范围内。通过本发明的复位方法，有效地解决了半导体存储器件复位速度和复位精度之间的矛盾，一方面提高了半导体存储器件的复位速度，另一方面使得复位后的半导体存储器件阈值电压分布范围大大减小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 存储 器件 复位 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件的复位方法，其特征在于，所述方法包括：步骤A、对半导体存储器件进行擦除操作，将所述半导体存储器件的阈值电压降低至预设电压Vref以下；步骤B、执行第一轮软编程操作，将所述半导体存储器件的阈值电压调整至（Vref‑0.5，Vref）范围内；步骤C、执行第二轮软编程操作，将所述半导体存储器件的阈值电压调整至（Vref‑0.5，Vref+0.05）范围内。
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