[发明专利]一种半导体存储器件的复位方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件的复位方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤A、对半导体存储器件进行擦除操作，将所述半导体存储器件的阈值电压降低至预设电压Vref以下；

步骤B、执行第一轮软编程操作，将所述半导体存储器件的阈值电压调整至（Vref-0.5，Vref）范围内；

步骤C、执行第二轮软编程操作，将所述半导体存储器件的阈值电压调整至（Vref-0.5，Vref+0.05）范围内。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤A之前，还包括对所述半导体存储器件中所有单元进行预编程操作。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体存储器件为堆栈栅非挥发性存储器。

4.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述步骤B具体包括如下步骤：

步骤B1、判断所述半导体存储器件的阈值电压是否处于（Vref-0.5，Vref）范围内；是，则执行步骤B4；否，则执行步骤B2；

步骤B2、判断所述半导体存储器件的软编程次数是否小于预设次数；是，则执行步骤B3；否，则执行步骤B6；

步骤B3、执行软编程操作，将所述半导体存储器件的阈值电压调整至（Vref-0.5，Vref）范围内，之后执行步骤B1；

步骤B4、复位地址加1，之后执行步骤B5;

步骤B5、判断复位地址是否溢出；是，则执行步骤C；否，则对下一半导体存储器件执行步骤B1；

步骤B6、标记所述半导体存储器件，之后执行步骤B4。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述步骤B3具体为：在所述半导体存储器件的控制栅极施加相对于衬底电势为正，幅度为V1的电压脉冲，在其漏极施加另一相对于衬底电势为正，幅度为V2的电压脉冲，在其源极施加与衬底相同的电势,其中V1大于V2。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述V1等于6v，所述V2等于3v。

7.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述步骤C具体包括如下步骤：

步骤C1、判断所述半导体存储器件的阈值电压是否处于（Vref-0.5，Vref+0.05）范围内；是，则执行步骤C4；否，则执行步骤C2；

步骤C2、判断所述半导体存储器件的软编程次数是否小于预设次数；是，则执行步骤C3；否，则执行步骤C6；

步骤C3、执行软编程操作，将半导体存储器件的阈值电压调整至（Vref-0.5，Vref+0.05）范围内，之后执行步骤C1；

步骤C4、复位地址加1，之后执行步骤C5;

步骤C5、判断复位地址是否溢出；是，则复位结束；否，则执行步骤C1；

步骤C6、标记所述半导体存储器件，之后执行步骤B4。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述步骤C3具体为：在所述半导体存储器件的控制栅极施加相对于衬底电势为正，幅度为V3的电压脉冲，在其漏极施加另一相对于衬底电势为正，幅度为V2的电压脉冲，在其源极施加与衬底相同的电势，其中V3大于V2。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述V3等于5v，所述V2等于3v。